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单选题
非晶硒DR设备对环境温度要求最高不能超过（）
A

22℃

B

27℃

C

37℃

D

40℃

E

50℃

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考题 间接DR中，位于FPD顶层的是A、非晶硒B、碘化铯C、钨酸钙D、非晶硅E、CCD
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考题 直接转换技术的DR，应用的转换介质是()。A.影像板B.增感屏C.碘化铯D.非晶硒E.非晶硅
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考题 关于DR探测器的类型，错误的是A．非晶硒平板型探测器B．非晶硅平板型探测器C．碘化铯平板型探测器D．多丝正比室扫描DRE．CCD摄像机型DR
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考题 目前DR设备选用的探测器主要有 A、非晶硒B、非晶硅C、CCDD、CDE、TFT
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考题 直接转换技术的DR中应用的转换介质是A.影像板 B.碘化铯 C.非晶硅 D.非晶硒 E.增感屏
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考题 直接转换技术的DR，应用的转换介质是（）A、影像板B、增感屏C、碘化铯D、非晶硒
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考题 属于DR成像直接转换方式的是（）A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
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考题 DR成像设备类型包括（）。A、非晶硒平板型探测器B、非晶硅平板探测器型C、IP成像方式D、多丝正比室扫描投影DRE、CCD摄像机型DR
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考题 非晶硒DR设备对环境温度要求最高不能超过（）A、22℃B、27℃C、37℃D、40℃E、50℃
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考题 单选题悬吊DR无线平板探测器材质是（）A 非晶硒B 碘化铯非晶硅C 氧化钆非晶硅D CCD
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考题 单选题下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是（　　）。A 非晶硅-非晶硒-CCDB CCD-非晶硅-非晶硒C 非晶硒-非晶硅-CCDD 非晶硅-CCD-非晶硒E CCD-非晶硒-非晶硅
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考题 单选题直接转换技术的DR中应用的转换介质是（）.A 影像板B 增感屏C 碘化铯D 非晶硒E 非晶硅
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考题 单选题间接DR中，位于FPD顶层的是（）A 非晶硒B 碘化铯C 钨酸钙D 非晶硅E CCD
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考题 多选题DR成像设备类型包括（）。A非晶硒平板型探测器B非晶硅平板探测器型CIP成像方式D多丝正比室扫描投影DRECCD摄像机型DR
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考题 单选题目前最常用的DR系统为（　　）。A CsI＋CCD阵列B 非晶硅平板探测器C 非晶硒平板探测器D 多丝正比电离室E 计算机X线摄影
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考题 单选题间接转换技术的DR，应用的转换介质是（）A 影像板B 增感屏C 碘化铯D 非晶硒E 非晶硅
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考题 单选题直接转换DR中应用的转换介质是（　　）。A 非晶硅B 非晶硒C 碘化铯D 成像板E 增感屏
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考题 单选题属于DR成像直接转换方式的是（）A 非晶硒平扳探测器B 碘化铯+非晶硅平扳探测器C 利用影像板进行X线摄影D 闪烁体+CCD摄像机阵列E 硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
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考题 单选题直接转换技术的DR，应用的转换介质是（）A 影像板B 增感屏C 碘化铯D 非晶硒
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考题 多选题目前DR设备选用的探测器主要有（）。A非晶硒B非晶硅CCCDDCDETFT
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