考题
直接转换技术的DR，应用的转换介质是()。A.影像板B.增感屏C.碘化铯D.非晶硒E.非晶硅
考题
直接转换技术DR中应用的转换介质是
A.影像板B.增感屏C.碘化铯D.非晶砸E.非晶硅
考题
直接转换技术的DR中应用的转换介质是A.影像板B.增感屏C.碘化铯D.非晶砸E.非晶硅
考题
属于DR成像直接转换方式的是A．非晶硒平板探测器B．碘化铯+非晶硅平板探测器C．利用影像板进行X线摄影D．固定IP+CCD摄像机阵列E．硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
考题
不能用来作X线接受转换介质的是A.增感屏B.胶片C.光盘D.成像板SXB
不能用来作X线接受转换介质的是A.增感屏B.胶片C.光盘D.成像板E.影像增强器
考题
直接转换技术的DR中应用的转换介质是A.影像板
B.碘化铯
C.非晶硅
D.非晶硒
E.增感屏
考题
属于DR成像间接转换方式的部件是A.增感屏
B.非晶硒平板探测器
C.碘化铯+非晶硅探测器
D.半导体狭缝线阵探测器
E.多丝正比电离室
考题
直接转换技术的DR，应用的转换介质是（）A、影像板B、增感屏C、碘化铯D、非晶硒
考题
能将X线直接转换成电子信号的材料是（）A、溴化银B、腆化铯C、非晶硒D、非晶硅E、氟氯化钡/铕
考题
属于DR成像直接转换方式的是（）A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
考题
属于DR成像间接转换方式的部件是（）A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、多丝正比电离室D、碘化色+非晶硅探测器E、半导体狭缝线阵探测器
考题
直接转换技术DR，应用的转换介质是（）A、影像板B、增感屏C、碘化铯D、非晶硒E、非晶硅
考题
属于DR成像直接转换方式的部件是（）A、闪烁体+CCD摄像机阵列B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
考题
属于DR成像间接转换方式的部件是（）A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
考题
直接转换技术的DR中应用的转换介质是（）A、影像板B、增感屏C、碘化铯D、非晶硒E、非晶硅
考题
单选题能将X线直接转换成电子信号的材料是（）A
溴化银B
腆化铯C
非晶硒D
非晶硅E
氟氯化钡/铕
考题
单选题属于DR成像间接转换方式的部件是（）A
增感屏B
非晶硒平板探测器C
碘化铯+非晶硅探测器D
半导体狭缝线阵探测器E
多丝正比电离室
考题
单选题属于DR成像直接转换方式的部件是（）A
闪烁体+CCD摄像机阵列B
非晶硒平板探测器C
碘化铯+非晶硅探测器D
半导体狭缝线阵探测器E
多丝正比电离室
考题
单选题直接转换技术DR，应用的转换介质是（）A
影像板B
增感屏C
碘化铯D
非晶硒E
非晶硅
考题
单选题直接转换技术的DR，应用的转换介质是（）A
影像板B
增感屏C
碘化铯D
非晶硒E
非晶硅
考题
单选题属于DR成像间接转换方式的部件是（）A
增感屏B
非晶硒平板探测器C
多丝正比电离室D
碘化色+非晶硅探测器E
半导体狭缝线阵探测器
考题
单选题间接转换技术的DR，应用的转换介质是（）A
影像板B
增感屏C
碘化铯D
非晶硒E
非晶硅
考题
单选题直接转换DR中应用的转换介质是（ ）。A
非晶硅B
非晶硒C
碘化铯D
成像板E
增感屏
考题
单选题属于DR成像直接转换方式的是（）A
非晶硒平扳探测器B
碘化铯+非晶硅平扳探测器C
利用影像板进行X线摄影D
闪烁体+CCD摄像机阵列E
硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
考题
单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是（ ）。A
闪烁体B
非晶硒平板探测器C
CCD摄像机阵列D
碘化铯＋非晶硅探测器E
半导体狭缝线阵列探测器
考题
单选题直接转换技术的DR中应用的转换介质是（）A
影像板B
增感屏C
碘化铯D
非晶硒E
非晶硅
考题
单选题不能用来作X线接受转换介质的是（ ）。A
增感屏B
胶片C
光盘D
成像板E
影像增强器