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填空题
当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
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考题
关于PN结的单向导电原理中，以下哪个描述正确（）A、空间电荷区有利于扩散运动，不利于漂移运动B、空间电荷区有利于漂移运动，不利于扩散运动C、当PN结两侧加正向电压时，空间电荷区变厚D、当PN结两侧加反向电压时，空间电荷区变薄
考题
当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）A、P区；N区；升高；降低B、N区；P区；升高；降低C、N区；P区；降低；升高D、P区；N区；降低；升高
考题
单选题简述光生伏特效应中正确的是（）A
用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；B
p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；C
平衡载流子破坏原来的热平衡；D
非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
考题
单选题关于PN结的单向导电原理中，以下哪个描述正确（）A
空间电荷区有利于扩散运动，不利于漂移运动B
空间电荷区有利于漂移运动，不利于扩散运动C
当PN结两侧加正向电压时，空间电荷区变厚D
当PN结两侧加反向电压时，空间电荷区变薄
考题
单选题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）A
复合电流B
漂移电流C
扩散电流D
漏电流
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