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填空题
SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

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考题 下列元件中属于动态元件的有(). A、电阻B、电感C、电容D、电压源
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考题 常见的电路元件有电阻元件、电容元件、电感元件、电压源、电流源。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 下列元件中属于储能元件的有(). A、电容B、电流源C、电阻D、电感
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考题 8.L电磁暂态过程是由短路引起的电流、电压突变及其后在电感、电容型储能元件及电阻型耗能元件中引起的过渡过程。
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考题 换路开始瞬间，电路中能发生突变的有（）A、电容的电压B、电容的电流C、电感的电压D、电感的电流E、电阻的电压F、电阻的电流
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考题 电路中，储能元件有（）A、电阻B、电感C、电流源D、电容E、电压源
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考题 正弦交流电路中，（）元件上电压和电流同相位，（）元件上电压在相位上超前电流90º，（）元件上电压在相位上滞后电流90º。A、电阻B、电感C、电压D、电流E、电容F、电场
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压
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考题 变压器低电压启动的过电流保护由电流元件、电压元（）元件等构成。A、电阻B、电容C、电感D、时间
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考题 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
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考题 场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
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考题 如果元件上流过的电流超前元件上的电压90度相位角，那么这个元件是（）。A、电阻；B、电容；C、电感；D、等效于电阻、电感元件串联。
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考题 在（）电路中，在相位上电流比电压滞后90°。A、电阻元件B、电感元件C、电容元件D、电动机
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考题 三极管是电流控制器件，场效应晶体管是（）器件。A、电阻控制B、电压控制C、动态控制D、单项控制
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考题 SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
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考题 电路储能元件是指（）A、电阻元件B、电感元件C、电压源元件D、电容元件E、电流源元件
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考题 电力场效应晶体管属于电流型控制元件。
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考题 电路中常用的理想电路元件有电阻、电感、电容、电压源、电流源和受控源。
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考题 电阻元件上的电压、电流在相位上是（）关系；电感元件上的电压、电流相位存在（）关系，且电压（）电流；电容元件上的电压、电流相位存在（）关系，且电压（）电流。
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考题 电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
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考题 电力场效应晶体管是理想的（）控制型器件A、电压B、电流C、电阻D、功率
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考题 单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A 电压B 电流C 电阻D 功率
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考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
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考题 单选题常见的电路元件有电阻元件、电容元件、（）、电压源、电流源。A 动力元件B 电感元件C 执行元件D 发光元件
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考题 单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
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考题 单选题场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）A 结型场效应晶体管，简称JFETB 绝缘栅型场效应晶体管，简称JFETC 结型场效应晶体管JGFETD 绝缘栅型场效应晶体管JGFET
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