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单选题
下列属于单晶硅片的一般形状().
A

方形

B

三角形

C

椭圆形

D

梯形


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应而构成,采用单晶硅片为弹性元件。此题为判断题(对,错)。

考题 下列属于PERL电池片结构的特点有()A、使用高品质的P型FZ单晶硅片B、为了提高电池片表面的光封闭效率,形成了倒金字塔形的蚀刻表面C、为了提高减反射膜的效率,采用了3层结构D、在钝化膜表面开设了小孔,由于在此形成电极,所以可以减少电极部分的金属和硅的接触面积

考题 采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件,在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺,在单晶硅的特定方向扩散一组()电阻,并将电阻接成桥路。A、不等值B、等值C、线性值D、非线性值

考题 将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程?

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考题 压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效果而构成,采用()为弹性元件。A、应变片B、压电片C、弹性元件D、单晶硅片

考题 压阻式压力传感器是利用单晶硅的电阻效应二构成,采用()为弹性元件A、应变片B、压电片C、弹性元件D、单晶硅片

考题 聚乙烯的单晶片的形状通常是菱形或截顶菱形的,而聚甲醛单晶片的形状通常是()的。

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考题 在单晶硅表面制作绒面时,常用的各向异性腐蚀剂有有机腐蚀剂和(),并且被腐蚀的单晶硅表面为100晶面时,可形成金字塔方椎形状,腐蚀后方椎高度一般为3~6μm。

考题 通常由单晶棒所切割的硅片表面可能污染的杂质主要有()A、油脂,松香,蜡B、有机溶剂,浓酸,强酸C、硝酸,氢氟酸D、盐,水

考题 太阳能电池产业链由以下五个环节组成,其中进入壁垒最高的是()。A、高纯多晶硅原料生产B、单晶硅拉制或多晶硅定向浇铸C、硅片切割D、电池芯片生产

考题 单晶硅太阳能电池组件的生产流程:()硅棒()()太阳电池组件;多晶硅太阳能电池组件的生产流程:()硅碇()硅片太阳电池太阳电池组件。

考题 直径〉15.24cm的单晶硅片

考题 7.5cm≤直径≤15.24cm单晶硅片

考题 单选题硅片制备主要工艺流程是()A 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B 单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C 单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

考题 多选题下列属于PERL电池片结构的特点有()A使用高品质的P型FZ单晶硅片B为了提高电池片表面的光封闭效率,形成了倒金字塔形的蚀刻表面C为了提高减反射膜的效率,采用了3层结构D在钝化膜表面开设了小孔,由于在此形成电极,所以可以减少电极部分的金属和硅的接触面积

考题 填空题聚乙烯的单晶片的形状通常是菱形或截顶菱形的,而聚甲醛单晶片的形状通常是()的。

考题 问答题将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺?

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考题 单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是()A 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B 单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D 单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包

考题 单选题衍射仪法中的试样形状是()。A 丝状粉末多晶;B 块状粉末多晶;C 块状单晶;D 任意形状。

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