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问答题
描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果。
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考题
TTL电路和CMOS电路接口时,无论是用TTL电路驱动CMOS电路还是用CMOS电路驱动TTL电路,驱动门都必须为负载门提供合乎标准的高、低电平和足够的电流。()
此题为判断题(对，错)。
考题
试说明如下各种门电路中哪些输出端可以直接并联使用?(1)具有推拉输出(图腾柱)的TTL电路。(2)TTL电路OC门。(3)TTL电路三态门。(4)具有互补输出(非门)结构的CMOS电路。(5) CMOS电路OD门。(6) CMOS电路三态门。
考题
对于TTL电路和CMOS电路的原理及比较，以下描述中不正确的是______。A.TTL电路是电压控制，CMOS电路是电流控制
B.TTL电路速度快，但是功耗大，CMOS电路速度慢，传输延迟时间长
C.CMOS电路具有锁定效应
D.CMOS电路在使用时不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或下拉电阻
考题
关于TTL电路与CMOS电路性能的比较，（）说法是正确的。A、TTL电路输入端接高电平时有电流输入B、CMOS电路输入端接高电平时有电流输入C、CMOS电路输入端允许悬空，相当于输入高电平D、TTL电路输入端允许悬空，相当于输入高电平E、TTL电路输入端允许悬空，相当于输入低电平
考题
下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。
考题
问答题在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
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