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填空题
受主获取电子的能量状态，处于禁带中价带顶附近，称为（）。

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考题 在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
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考题 沉淀反应中抗原过量的现象称为( )A.后带B.前带C.高带D.等价带E.不等价带
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考题 抗原抗体反应中，抗体过剩时的沉淀反应称为（ ）。A、前带B、后带C、带现象D、等价带E、前后带
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考题 沉淀反应中抗体过量的现象称为A、前带B、后带C、带现象D、等价带E、拖尾现象
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考题 沉淀反应中抗原过量的现象称为A、前带B、后带C、带现象D、等价带E、拖尾现象
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考题 非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。 A.禁带B.允带C.导带D.价带
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考题 抗体过剩时称为 A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和等价带E.等价带
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考题 因抗原抗体比例不恰当而不出现沉淀的现象称为A.等价带B.带现象C.后带 因抗原抗体比例不恰当而不出现沉淀的现象称为A.等价带B.带现象C.后带D.前带E.中带
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考题 若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
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考题 抗原抗体反应中，抗体严重过剩的现象称为（）。A、带现象B、等价带C、前带D、后带E、平衡带
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考题 沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A、后带B、前带C、高带D、等价带E、不等价带
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考题 抗原抗体比例不适合出现的沉淀现象称为（）A、等价带B、带现象C、前带D、后带E、中带
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考题 抗体过剩时称为（）A、前带B、后带C、前带或后带D、前带和等价带E、等价带
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考题 导带忠的电子和价带忠的空穴复合时主要以（）释放能量。A、辐射复合B、俄歇复合C、通过复合中心复合D、以上三种都可以
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考题 入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,即光的波长应小于某一临界波长λ0。
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考题 为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
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考题 填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。
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考题 单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带，导带B 价带，禁带C 禁带，导带D 导带，价带
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考题 单选题重空穴指的是（）。A 质量较大的原子形成的半导体产生的空穴B 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D 自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
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考题 单选题沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A 后带B 前带C 高带D 等价带E 不等价带
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考题 单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题抗原抗体反应中，抗体严重过剩的现象称为（）A 带现象B 等价带C 前带D 后带E 平衡带
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考题 单选题抗体过剩时称为（）A 前带B 后带C 前带或后带D 前带和等价带E 等价带
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考题 单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶
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考题 单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带，这一过程称为（）A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收
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考题 单选题掺有杂质的半导体在光照下，中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带，同样，中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带，这种吸收称为（）A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收
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考题 单选题电子亲和势，是指电子从（）到真空能级的能级差。A 导带底能级B 价带顶能级C 费米能级D 施主能级
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