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问答题
简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.
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考题
硅提纯及制备工艺流程正确的是()。
A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
考题
单选题做集成电路的多晶硅电阻设计时,要计算每个电阻的阻值,那么电阻的长度是怎样计算的?()A
整个多晶硅的长度B
多晶硅中两个引线孔中心点的距离C
多晶硅中两个引线孔内侧的距离D
多晶硅中两个引线孔外侧的距离
考题
单选题悬浮区熔的优点不包括()A
不需要坩埚B
避免了容器污染C
更易获得高纯度硅D
成本低
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