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铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。

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考题 简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
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考题 简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
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考题 简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
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考题 叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。
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考题 对于铸造多晶硅氧浓度越（），钝化效果越（），少数载流子寿命增加越（）A、低，好，多B、低，好，少C、低，差，多D、高，好，多
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考题 铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）A、钝化晶界B、钝化错位C、钝化电活性杂质
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考题 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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考题 原材料用硅砂，先将其还原为纯度为97％-98％的（），为了进一步提高纯度，将金属硅与（）反应，生成（），再将其还原，热分解得到纯度为99.99999％以上的多晶硅。
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考题 近年来，一半以上的太阳能电池使用的是用铸造法制造的（）基片。A、单晶硅B、多晶硅C、CIGSD、CIS
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考题 大部分的多晶硅基片都是用所谓的铸造法生产的。基片广泛使用（）的角。目前用众所周知的固液界面的（）、液固速度等许多知识的累积来生产铸模。
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考题 晶体硅电池大面积多晶硅绒面的制备结论？
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考题 制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）A、氧及其相关缺陷B、参杂浓度C、以间隙铁为主的过渡族金属杂质D、材料中的缺陷密度及其分布
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考题 单选题对于铸造多晶硅氧浓度越（），钝化效果越（），少数载流子寿命增加越（）A 低，好，多B 低，好，少C 低，差，多D 高，好，多
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考题 单选题下列铸造多晶硅的制备方法中,（）没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。A 布里曼法B 热交换法C 电磁铸锭法D 浇铸法
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考题 问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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考题 单选题制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）A 氧及其相关缺陷B 参杂浓度C 以间隙铁为主的过渡族金属杂质D 材料中的缺陷密度及其分布
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考题 问答题晶体硅电池大面积多晶硅绒面的制备结论？
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考题 多选题铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）A钝化晶界B钝化错位C钝化电活性杂质
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考题 问答题目前，制备低温多晶硅常用的方法是什么？
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考题 单选题做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）A 整个多晶硅的长度B 多晶硅中两个引线孔中心点的距离C 多晶硅中两个引线孔内侧的距离D 多晶硅中两个引线孔外侧的距离
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考题 问答题沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
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考题 问答题开发多晶硅技术解决了什么问题？
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考题 单选题在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）A 第一层多晶硅的面积B 第二层多晶硅的面积C 二层多晶硅重叠后的面积
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