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问答题
简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.

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考题 单选题悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间()左右。A 3minB 5minC 7minD 10min

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考题 单选题悬浮区熔的优点不包括()A 不需要坩埚B 避免了容器污染C 更易获得高纯度硅D 成本低