考题
关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
考题
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂。（）
考题
导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）
考题
辐射加工技术一般包含哪些（）。A、辐射交联B、离子束注入C、离子掺杂D、辐照育种
考题
以下掺杂半导体中属于n型的是（）A、In掺杂的GeB、As掺杂的GeC、InSb中，Si占据Sb的位置D、GaN中，Mg占据Ga的位置
考题
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
考题
双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是（）、（）和（）。
考题
为保证系统的全程功率控制，中兴ZXWM－32DWDM系统采用了哪些功率控制技术（）A、功率预均衡B、增益平坦C、铝掺杂EDFAD、APSD和APR技术
考题
N型半导体中的自由电子是（）形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发
考题
根据晶体管的结构特点，（）区的掺杂浓度最低。（）区的掺杂浓度最高。
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
考题
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
考题
填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
考题
单选题微传感器的加工工艺不包括（）。A
光刻技术B
HARQ技术C
半导体掺杂技术D
LIGA技术
考题
单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A
与掺杂浓度和温度无关B
只与掺杂浓度有关C
只与温度有关D
与掺杂浓度和温度有关
考题
问答题半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种？
考题
单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A
扩散B
化学机械抛光C
刻蚀D
离子注入
考题
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
考题
问答题掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。
考题
填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
考题
单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A
温度越高，掺杂越快B
温度越低，掺杂越快C
温度恒定，掺杂最快D
掺杂快慢与温度无关
考题
判断题在现代集成电路加工技术中，主流的掺杂技术是扩散掺杂。A
对B
错
考题
判断题晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。A
对B
错
考题
判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A
对B
错