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名词解释题
反型异质结

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考题 无论采用哪种连接方式，也无论是采用NPN型三极管还是PNP型三极管，要使三极管具有放大作用，都必须保证（）。A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结反偏、集电结正偏 C.发射结反偏、集电结反偏 D.发射结正偏、集电结正偏
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考题 F-P腔激光器从结构上划分，可分为()。A.同质结半导体激光器 B.单异质结半导体激光器 C.双异质结半导体激光器 D.双质结半导体激光器
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考题 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
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考题 无论是采用哪一种连接方式，也无论是采用NPN型管还是PNP型管，要使三极管具有放大作用，都必须保证（）。A、发射极正偏、集电极反偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射极正偏、集电极反偏D、发射结反偏、集电结正偏
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考题 晶体三极管具备放大功能的条件是发射结正偏和（）。A、发射结反偏B、集电结反偏C、基结反偏D、接收结反偏
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考题 晶体三极管用于放大时则（）A、发射结反偏，基电结反偏。B、发射结正偏，基电结反偏。C、发射结正偏，基电结正偏。D、发射结反偏，基电结正偏。
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考题 NPN型三极管在共射极电路中，如果三极管工作在放大区，则应是（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
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考题 异质结激光器是通过加异质材料，从而对载流子和光子两个方面进行限制，降低了（）电流。
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考题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
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考题 对于共发射极接法的NPN型三极管工作在截止区的偏置条件是（）A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结正偏
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考题 工作在放大区的NPN型三极管，其偏置条件是（）A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结正偏
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考题 利用两种半导体的异质结串联太阳能电池，称为（）。
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考题 异质结太阳能电池的结构是在P型基片上，覆盖一层n型顶区层，两者的交界面构成一个异质结，然后在顶区层下面制作栅状金属电场，正背制作底面金属电极。
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考题 日前采用的LD的结构种类属于（）A、F-P腔激光器（法布里—珀罗谐振腔）B、单异质结半导体激光器C、同质结半导体激光器D、双异质结半导体激光器
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考题 目前光纤通信系统采用的LD的结构种类属于（）。A、F-P腔激光器（法布里—珀罗谐振腔）B、单异质结半导体激光器C、同质结半导体激光器D、双异质结半导体激光器
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考题 太阳能单一结电池片可以分为（）；（）、双异质性结构、倾斜禁带宽度型、异质结构、短键位垒型、量子阱结构超晶格结构、Si以及Ge基片上的薄膜电池片上。
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考题 对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置
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考题 晶体三极管用于放大时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，基集反偏
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考题 问答题什么是双异质结？它对LED有什么影响？
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考题 多选题结型红外探测器件种类有（）。A同质结B异质结C肖特基结D雪崩管E量子阱
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考题 填空题异质结激光器是通过加异质材料，从而对载流子和光子两个方面进行限制，降低了（）电流。
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考题 问答题异质结有什么特点？它适宜于制作哪些器件？
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考题 填空题在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
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考题 单选题目前光纤通信系统采用的LD的结构种类属于（）。A F-P腔激光器（法布里—珀罗谐振腔）B 单异质结半导体激光器C 同质结半导体激光器D 双异质结半导体激光器
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考题 名词解释题异质pn结
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考题 问答题什么是异质结？按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为哪些类型？异质结形成的条件是什么？制造异质结的技术通常有哪些？
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考题 名词解释题异质结
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