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填空题
半导体晶体缺陷可以分为()和微观缺陷,以及点阵应变和表面机械损伤。
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考题
判断题由于晶体缺陷处点阵畸变较大,原子处于较高的能量状态,易于跃迁,故扩散激活能较小。A
对B
错
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