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问答题
简述熔体制备单晶的方法,坩埚法和直拉法的过程细节。

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考题 栓剂基质的制备常采用下列哪种方法( )。A.冷压法B.热压法C.热熔法D.研和法E.熔和法

考题 晶体生长有不同的方法,以下不是熔体法生长的是()。 A、直拉法B、布里奇曼法C、区熔法D、真空蒸发法

考题 硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

考题 目前,合成红宝石的方法有:().A、水热法B、焰熔法和助熔剂法C、冷坩埚法D、导模法和提拉法E、气相沉淀法

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考题 关于制剂制备方法的叙述中错误的是()A、软膏剂可用研合法、熔和法和乳化法制备B、栓剂的制法有搓捏法、热熔法和冷压法C、片剂最常用的方法是湿法制粒压片D、脂质体的制备方法常用的是注入法、薄膜分散法和超声波分散法E、微球的制备常采用单凝聚法

考题 工业中单晶硅的制备方法主要有()和区熔法(FZ法)

考题 单晶硅锭的制备方法很多,目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。

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考题 丹药的制备方法:()A、升法与降法B、熔和法C、涂膜法D、热熔法E、热压法

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考题 那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()A、分凝B、蒸发C、坩埚污染D、损坏

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