考题
晶闸管的三个引出电极分别是()。
A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极
考题
可控硅的三个电极分别是阴极、阳极和( )。A.基极B.集电极C.控制极D.发射极
考题
可控硅有三个极:阴极K、阳极A及控制极G。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶闸管有三个极，即（）。A基极、发射极、集电极B阳极、阴极、集电极C阳极、阴极、门极D基极、发射极、门极
考题
可控硅有三个极，G为阳极，K为控制极，A为阴极。
考题
可控硅由阳极、阴极和控制极构成，控制可控硅的电流是由调节流入（）电流来进行的。A、KS阳极B、阴极C、控制极
考题
晶闸管的电极是（）。A、发射极B、阳极AC、阴极KD、控制极E、集电极
考题
可控硅的三个电极分别是阴极、阳极和（）。A、基极B、集电极C、控制极D、发射极
考题
可控硅内部由（）半导体交叠而成，有（）PN结，外部引出三个电极，分别称为阴极、阳极和控制极（又称门极）。
考题
普通晶闸管是由4层半导体极成的，由P1区引出的电极称为晶闸管的（）。A、阳极AB、阴极KC、共射极D、门极G
考题
可控硅元件有三个极，分别叫做（）。A、发射极、集电极、基极B、正极、负极、地C、阴极、阳极、控制极D、正极、负极、控制极
考题
可控硅的三个极分别称为（）。A、基极、集电极、发射极B、阳极、阴极、控制极C、基极、集电极、控制极D、阴极、阳极、基极
考题
三极管的三个电极是（）A、基极、发射极、集电极B、基极、阳极、阴极C、门极、阳极、阴极D、门极、发射极、集电极
考题
可控硅元件是由四层半导体构成，有三个PN结，分别是（）。A、阳极AB、发射极EC、阴极KD、控制极或门极用G
考题
晶闸管具有三个电极，它们是（）。A、阳极、阴极和门极B、基极、集电极和发射极C、阳极、阴极和基极D、门极、集电极和发射极
考题
半导体三极管是由（）极（）极（）极三个电极，（）结（）结两个PN结构成。
考题
晶闸管的三个电极是（）。A、基极、发射极、集电极B、基极、阳极、阴极C、门极、阳极、阴极D、门极、发射极、集电极
考题
IGBT的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极 栅极C、栅极、源极 漏极D、发射极、栅极、集电极
考题
关于可控硅管的说法，正确的是（）。A、有三个PN结B、最外的P层引出阴极C、分为三个半导体材料层D、中间的N层引出控制极
考题
用示波器检查可控硅整流装置的“脉冲装置”输出脉冲，应将示波器接于可控硅元件的（）。A、阴极与阳极之间；B、控制极与阴极之间；C、控制极与阳极之间；D、控制极与"地"之
考题
晶闸管是一个四层三端元件，其内部有三个PN结，三端的名称分别是（）。A、发射极B、阳极C、阴极D、门极
考题
可控硅组件，它有三个极、即阳极，阴极和控制极。
考题
单选题晶闸管有三个极，即（）。A
基极、发射极、集电极B
阳极、阴极、集电极C
阳极、阴极、门极D
基极、发射极、门极
考题
单选题晶闸管的三个电极是（）。A
基极、发射极、集电极B
基极、阳极、阴极C
门极、阳极、阴极D
门极、发射极、集电极
考题
单选题IGBT的3个引出电极分别是（）A
阳极、阴极、门极B
阳极、阴极 栅极C
栅极、源极 漏极D
发射极、栅极、集电极
考题
单选题三极管的三个电极是（）A
基极、发射极、集电极B
基极、阳极、阴极C
门极、阳极、阴极D
门极、发射极、集电极