考题
晶闸管的三个引出电极分别是()。
A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极
考题
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。
A.发射极，基极，集电极；B.发射极，栅极，集电极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
考题
IGBT有三个电极，分别称为（）、（）及（）。
考题
晶体三极管它有三个区和三个引出电极，分别是（）。A、集电区（极）B、基区（极）C、控制区（极）D、发射区（极）
考题
关于半导体二极管错误的说法是（）。A、由一个半导体加上电极引线与外壳构成B、由P区引出的电极称阳极C、由N区引出的电极称阴极D、共有两个极
考题
从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是（）、（）和（）。
考题
IGBT器件具有（）。A、门极B、阳极C、发射极D、集电极
考题
晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是阳极、阴极和（）极。
考题
下列不是IGBT的电极是（）。A、GB、CC、ED、B
考题
IGBT是三端器件，三个引出电极分别是（）极、集电极和发射极。
考题
IGBT是三端器件，三个引出电极分别是栅极、（）极和发射极。
考题
晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是阳极、（）极和门极。
考题
晶闸管的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、栅极B、阳极、阴极、门极C、栅极、漏极、源极D、发射极、基极、集电极
考题
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。A、集电极B、栅极C、发射极D、门极
考题
IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极
考题
常用半导体二极管在一个PN结的两端各引出一个电极，从型半导体引出的电极是（），从N型半导体引出的电极是（）。A、正极；负极B、负极；正极
考题
多选题IGBT器件具有（）。A门极B阳极C发射极D集电极
考题
填空题IGBT是三端器件，三个引出电极分别是栅极、（）极和发射极。
考题
填空题晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是阳极、阴极和（）极。
考题
多选题霍尔元件是N型半导体制成的扁平长方体，扁平边缘的两对侧面分别引出（）电极。A激励电极B保护电极C霍尔电极D差动电极
考题
填空题霍尔元件是N型半导体制成的扁平长方体，扁平边缘的两对侧面各引出一对电极。一对叫激励电极用于引入（）；另一对叫霍尔电极，用于引出（）。
考题
单选题晶闸管的3个引出电极分别是（）A
阳极、阴极、栅极B
阳极、阴极、门极C
栅极、漏极、源极D
发射极、基极、集电极
考题
填空题晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是阳极、（）极和门极。
考题
单选题IGBT的3个引出电极分别是（）A
阳极、阴极、门极B
阳极、阴极 栅极C
栅极、源极 漏极D
发射极、栅极、集电极
考题
填空题IGBT是三端器件，三个引出电极分别是（）极、集电极和发射极。
考题
填空题三极管对外引出电极分别是（）极、发射极和集电极。
考题
单选题下列不是IGBT的电极是（）。A
GB
CC
ED
B