考题
晶闸管的三个引出电极分别是()。
A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极
考题
普通晶闸管是在一块半导体上制成()个PN结,再引出电极并封装加固而成。A、1B、2C、3D、4
考题
普通晶闸管是由4层半导体极成的，由P1区引出的电极称为晶闸管的（）。A、阳极AB、阴极KC、共射极D、门极G
考题
晶闸管内部由（）半导体次叠而成，有三个PN结，外部引出三个电极。
考题
普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是阳极A，阴极K和门极G晶闸管的导通条件是？关断条件是？
考题
晶闸管外部引出的三个电极分别称为（）极、（）极和（）极。
考题
普通晶闸管外部有3电极，分别是基极、发射极和集电极。
考题
晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是阳极、阴极和（）极。
考题
普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。
考题
IGBT是三端器件，三个引出电极分别是（）极、集电极和发射极。
考题
IGBT是三端器件，三个引出电极分别是栅极、（）极和发射极。
考题
IGBT的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极 栅极C、栅极、源极 漏极D、发射极、栅极、集电极
考题
晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是阳极、（）极和门极。
考题
晶闸管的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、栅极B、阳极、阴极、门极C、栅极、漏极、源极D、发射极、基极、集电极
考题
晶闸管共有（）个引出电极。A、六B、三C、四D、两
考题
填空题IGBT是三端器件，三个引出电极分别是栅极、（）极和发射极。
考题
填空题晶闸管内部由（）半导体次叠而成，有三个PN结，外部引出三个电极。
考题
问答题普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是阳极A，阴极K和门极G晶闸管的导通条件是？关断条件是？
考题
填空题晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是阳极、阴极和（）极。
考题
判断题普通晶闸管外部有3电极，分别是基极、发射极和集电极。A
对B
错
考题
判断题普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。A
对B
错
考题
单选题晶闸管的3个引出电极分别是（）A
阳极、阴极、栅极B
阳极、阴极、门极C
栅极、漏极、源极D
发射极、基极、集电极
考题
填空题晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是阳极、（）极和门极。
考题
单选题IGBT的3个引出电极分别是（）A
阳极、阴极、门极B
阳极、阴极 栅极C
栅极、源极 漏极D
发射极、栅极、集电极
考题
填空题IGBT是三端器件，三个引出电极分别是（）极、集电极和发射极。
考题
填空题三极管对外引出电极分别是（）极、发射极和集电极。