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判断题
硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料,在随后的工艺中要清洗去除。
A

B


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考题 下列选项中( )不是粘接前对铝金属表面进行化学处理的目的。A.产生氧化层B.产生干净截面C.去除杂质D.清洗

考题 下列关于电极头的氧化层,说法错误的是()A、电极头表面的氧化层,对于点焊的焊点的质量影响非常大,一定要经常确认,并且去除B、点焊在焊接过程中,一定会产生电极头表面的氧化层C、电极头表面的氧化层,只需要在焊接前去除就好,中间焊接的时候不需要理会D、针对电极头表面的氧化层,可以使用锉刀去除,也可以使用粗砂纸去除

考题 在石灰石湿法烟气脱硫工艺中有强制氧化工艺中有强制氧化和自然氧化之分,其区别在于脱硫塔底部的持液槽中是否充入()。

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考题 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅

考题 通常,一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成,在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅,电极上存在高电位时将形成耗尽区,这是()的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处

考题 光刻加工的工艺过程为()A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

考题 什么是强制氧化工艺和自然氧化工艺?哪种工艺较好?

考题 清洗工序中研磨的作用是为了去除基板上的镀锌层。

考题 DRAPL上的抛丸机在去除奥氏体不锈钢带的氧化铁皮时速度快于去除铁素体氧化铁皮的速度。

考题 在任何一种炼钢方法中,硅的氧化反应都进行得不激烈。

考题 转炉炼钢操作中,碳、硅、锰、磷都是通过氧化反应去除的.

考题 在氧化前期()氧化,且氧化反应更为完全、彻底。A、锰比硅早B、硅与锰同时C、硅比锰早

考题 炉缸中存在着硅氧化的耦合反应。硅在氧化时,是在炉缸贮存的渣铁界面上发生的。

考题 氧化是钢铁材料中的金属元素在加热过程中与()发生作用,形成金属氧化物层的一种现象。

考题 硅氧化物是一种酸性氧化物。

考题 在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。A、晶圆顶层的保护层B、多层金属的介质层C、多晶硅与金属之间的绝缘层D、掺杂阻挡层E、晶圆片上器件之间的隔离

考题 解决氧化层中的钠离子沾污的方法有()。A、加强工艺操作B、加强人体和环境卫生C、使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备D、采用HCl氧化工艺E、硅片清洗后,要充分烘干,表面无水迹

考题 以()等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。A、单晶硅B、多晶硅C、硅化金属D、二氧化硅E、氮化硅

考题 可采用二氧化硅和碳作为原材料,在大型电弧炉中进行冶炼获得的硅材料是()A、单晶硅B、多晶硅C、冶金级硅D、非晶硅

考题 点焊焊件表面必须清洗,去除氧化膜、泥垢等才能焊接。

考题 焊剂是一种焊接辅助材料,它能去除氧化物并防止焊接时金属表面再次氧化。

考题 填空题在外延工艺中,如果膜和衬底材料(),例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为();反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为()。

考题 单选题在钢铁的酸性氧化工艺中,形成氧化膜的工件经过清洗后要进行(),以免出现锈迹。A 增色处理B 脱水封闭处理C 钝化处理D 烘干处理

考题 问答题简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。

考题 单选题通常,一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成,在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅,电极上存在高电位时将形成耗尽区,这是()的结果。A 空穴移向衬底深处B 空穴移向二氧化硅层C 电子移向二氧化硅层D 电子移向衬底层深处

考题 问答题简述什么是硅热氧化以及氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。