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问答题
简述区熔法（FZ法）的特点与优缺点。
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考题
单选题悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。A
3ｍｉｎB
5ｍｉｎC
7ｍｉｎD
10ｍｉｎ
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