网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的()向P区运动。


参考答案

更多 “在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的()向P区运动。” 相关考题
考题 利用反向偏压p-n结在入射光照射下产生光生电流的光器件是()。 A、LEDB、LDC、PIND、APD

考题 PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区,它阻止多子扩散,起到了限制电流通过的作用。() 此题为判断题(对,错)。

考题 p-n结具有×××导电性。

考题 P-N结是什么?

考题 用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于

考题 半导体陶瓷的物理效应:()、()、()、p-n结

考题 在足够能量的光照条件,晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下,N区的()向P区运动.。A、电子B、空穴C、质子D、原子

考题 在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的空穴向P区运动,P区的()向N区运动。

考题 太阳能电池片被掺杂了磷的那部分称为()。A、耗尽区B、N区C、P-N结D、P区

考题 在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下P区的()向N区运动。A、电子B、空穴C、质子D、光子

考题 当PN结及附近被光照时,若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对,在内电场作用下,电子、空穴分别漂移到()和(),使P端电势()N端电势(),以下正确的是()A、P区;N区;升高;降低B、N区;P区;升高;降低C、N区;P区;降低;升高D、P区;N区;降低;升高

考题 光的()决定光的颜色,是由形成P-N结材料决定的。

考题 在平衡p-n结中,由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流,而使p-n结中的静电流为零。

考题 ()是指荷电粒子在电场力的作用下向收尘极表面运动的速度。

考题 用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于D、小于或等于

考题 P-n结的特点:()、()、光生伏特效应

考题 单选题简述光生伏特效应中正确的是()A 用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;B p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;C 平衡载流子破坏原来的热平衡;D 非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。

考题 填空题在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的()向P区运动。

考题 单选题用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A 低于B 等于或大于C 大于

考题 填空题光的()决定光的颜色,是由形成P-N结材料决定的。

考题 问答题P-N结是什么?

考题 单选题PN结光生伏特效应()。A 电子集中的P区B 电子集中的N区结表面C 电子集中的P区表面D 电子集中的N区表面

考题 填空题在N型材料的PN结光伏效应中,光生电动势与内建电场的方向()。

考题 问答题在导出P-N结的I-V特性时,全部偏压都降在结空间电荷区。试说明这一假设的合理性。

考题 单选题光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对,在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负A P区B N区C 中间区D 结区

考题 填空题在PN结的空间电荷区中,P区一侧带()电荷,N区一侧带()电荷。内建电场的方向是从()区指向()区。

考题 单选题用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A 低于B 等于或大于C 大于D 小于或等于