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判断题
暴露在高温的氧气氛围中,硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
A
对
B
错
参考答案
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解析:
暂无解析
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考题
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单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
考题
单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是()A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
考题
填空题硅片上的氧化物主要通过()和()的方法产生,由于硅片表面非常平整,使得产生的氧化物主要为层状结构,所以又称为()。
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