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判断题
暴露在高温的氧气氛围中,硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
A

B


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考题 填空题刻蚀是用()或()有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程,其基本目标是()。

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考题 判断题离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除,掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A 对B 错

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考题 单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是()A 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B 单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D 单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包

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