考题
扩散硅压力(差压)变送器是一种电阻应变式变送器。()
此题为判断题(对，错)。
考题
下列焊接方法属于压力焊的是( )。A.扩散焊B.电阻焊C.超声波焊D.爆炸焊
考题
温度传感器的种类有A、绕组电阻式B、扩散电阻式C、半导体二极管D、金属芯式
考题
混凝土电阻率越大，说明钢筋锈蚀发展速度越快，扩散能力越强。（ ）
考题
混凝土电阻率越大，钢筋锈蚀发展速度越快，扩散能力越强。（ ）
考题
PN结加反向电压，则（）A、有利于少子的扩散B、PN结电阻变小C、PN结变薄D、不利于多子的扩散
考题
目前应用较多的温度传感器为（）温度传感器。A、扩散电阻式B、热敏电阻式C、半导体晶体管式
考题
扩散硅压力（差压）变送器是一种电阻应变式变送器，其输出灵敏度和测压量程的调整，通过改变测量桥路反馈电阻的阻值来实现。
考题
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。A、埋层B、外延C、PN结D、扩散电阻E、隔离区
考题
在确定扩散率的实验中，扩散层电阻的测量可以用（）测量。A、SIMS技术B、扩展电阻技术C、微分电导率技术D、四探针技术
考题
我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。A、横向电阻B、平均电阻率C、薄层电阻D、扩展电阻
考题
电控车辆上水温、油温、进气温度传感器为（）温度传感器。A、扩散电阻式B、热敏电阻式C、半导体晶体管式D、热电偶式
考题
压阻式压力传感器是基于（）的原理工作的。A、扩散硅受压电容变化B、扩散硅受压电荷变化C、扩散硅受压电阻值变化D、扩散硅受压电流变化
考题
压阻式微传感器是在单晶半导体膜片适当部位扩散形成力敏电阻而构成的。
考题
扩散硅压力变送器测量线路中，电阻Rf是电路的负反馈电阻，其作用（）A、进一步减小非线性误差B、获得变送器的线性输出C、调整仪表的满刻度输出D、利于环境的温度补偿
考题
扩散硅压力变送器测量线路中，电阻Rf是电路的负反馈电阻，其作用（）。A、进一步减小非线性误差B、获得变送器的线性输出C、调整仪表的满刻度输出
考题
电阻是由接地线电阻、接地体电阻和土壤电阻所组成，因接地线和接地体的电阻都很小，可忽略不计，故接地电阻是电流经接地体向四周扩散时所出现的电阻。
考题
扩散硅式压力传感器利用什么原理检测压力（）A、电阻应变效应B、光电效应C、热电效应D、压电效应
考题
当浓度不大时，扩散电位是电阻率低的一方富集（）电荷，电阻率高的一方富集（）电荷。
考题
下列温度传感器中，用作进气温度传感器的是（）温度传感器。A、绕线电阻式B、热敏电阻式C、扩散电阻式D、半导体管式
考题
接地电阻是由接地线电阻、接地体电阻和土壤电阻所组成，因接地线及接地体的电阻都很小，可忽略不计，故接地电阻是电流经接地体向四周扩散时土壤所呈现的电阻。
考题
单选题PN结加反向电压，则（）A
有利于少子的扩散B
PN结电阻变小C
PN结变薄D
不利于多子的扩散
考题
问答题简述基区扩散电阻最小条宽的设计受到三个限制
考题
判断题通过各种匹配措施，在版图上能够精确的划出一个125欧的扩散电阻。A
对B
错
考题
判断题压阻式微传感器是在单晶半导体膜片适当部位扩散形成力敏电阻而构成的。A
对B
错
考题
单选题在一个一般的制程中，下列材料集成电阻，方块电阻（Sheet Resistance）最大的是（）A
扩散电阻B
井电阻C
多晶硅电阻D
铝层连线电阻