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单选题
间接转换探测器进行光电转换的元件是(  )。
A

碘化铯闪烁体

B

光电二极管

C

非晶硒

D

模数转换器

E

光电倍增管


参考答案

参考解析
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考题 属于DR成像直接转换方式的部件是A.闪烁体+CCD摄像机阵列 B.非晶硒平板探测器 C.碘化铯+非晶硅探测器 D.半导体狭缝线阵探测器 E.多丝正比电离室

考题 对间接转换型数字平板探测器的分辨率下降关系最小的是()A、碘化铯的其针状(或称柱状)结构B、闪烁体层制作得较厚C、像素太小D、像素太大E、光电二极管/晶体管阵列放置在闪烁体的射出表面上

考题 非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是()A、碘化铯闪烁体B、开关二极管C、光电二极管D、电容器E、模数转换器

考题 属于DR成像直接转换方式的是()A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

考题 属于DR成像直接转换方式的部件是()A、闪烁体+CCD摄像机阵列B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

考题 属于DR成像间接转换方式的部件是()A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

考题 关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()A、表面电极B、基板层C、光电二极管D、非晶硅TFT阵列E、碘化铯晶体层

考题 应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是()A、硒鼓探测器,B、IP成像转换器,C、直接转换平板探测器,D、间接转换平板探测器,E、多丝正比室检测器

考题 CR利用()进行成像。A、光激励存储荧光体B、非晶硒等光电转换晶体C、稀土D、影像增强器E、光电倍增管

考题 CR是利用()进行成像A、光激励存储荧光体B、非晶硒等光电转换晶体C、稀土D、影像增强器E、光电倍增管

考题 单选题间接转换探测器的光电导材料一般是(  )。A 硫氧化钆B 碘化铯C 光电二极管D 非晶硅E 非晶硒

考题 单选题关于碘化铯特点的叙述,错误的是(  )。A 使用碘化铯层和光电二极管的非晶硅平板探测器中,碘化铯层不同于其他闪烁体,它的晶体直接生长在基板上B 在碘化铯探测器上,X线吸收和伪影之间的折中相比于传统的闪烁体已几乎不是问题C 碘化铯能很好地吸收X线,但在数字图像之间不会产生光学图像,这种方式被称为间接转换D 探测器元素可以独立地优化而不影响整个探测器的性能E 碘化铯闪烁晶体受到X线照射后,将入射的X线光子转换为可见光

考题 单选题非晶硅平板探测器基本结构为(  )。A 碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B 碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C 硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D 非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E 碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路

考题 多选题关于间接转换型平板探测器结构的叙述,正确的是(  )。A碘化铯晶体层B非晶硅TFT阵列C光电二极管D行驱动电路E表面电极

考题 单选题直接转换型平板探测器中,存储电流信号的元件是(  )。A 极间电容B 光电二极管C 场效应管D 模数转换器E 非晶硒层

考题 单选题属于DR成像间接转换方式的部件是()A 增感屏B 非晶硒平板探测器C 碘化铯+非晶硅探测器D 半导体狭缝线阵探测器E 多丝正比电离室

考题 单选题属于DR成像直接转换方式的部件是()A 闪烁体+CCD摄像机阵列B 非晶硒平板探测器C 碘化铯+非晶硅探测器D 半导体狭缝线阵探测器E 多丝正比电离室

考题 单选题间接转换探测器进行光电转换的元件是(  )。A 碘化铯闪烁体B 光电二极管C 非晶硒D 模数转换器E 光电倍增管

考题 单选题关于非晶硅平板探测器及其工作原理的叙述,正确的是(  )。A 将入射的X线光子转换为可见光的是光电二极管B 将可见光转换成电信号的是模/数转换器C 主要分为碘化铯+非晶硅、荧光体+非晶硅两类D 非晶硅平板探测器属于直接转换型平板探测器E 在闪烁晶体上形成储存电荷

考题 单选题关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是(  )。A 表面电极B 基板层C 光电二极管D 非晶硅TFT阵列E 碘化铯晶体层

考题 单选题间接转换型平板探测器的组成不包括(  )。A 基板层B 光电二极管C 非晶硅TFT阵列D 碘化铯晶体层E 集电矩阵

考题 单选题非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是()A 碘化铯闪烁体B 开关二极管C 光电二极管D 电容器E 模数转换器

考题 多选题非晶硅平板探测器的结构包括(  )。A保护层B碘化铯闪烁体层C非晶硅光电二极管阵列D行驱动电路E图像信号读取电路

考题 单选题间接转换技术的DR,应用的转换介质是()A 影像板B 增感屏C 碘化铯D 非晶硒E 非晶硅

考题 单选题属于DR成像直接转换方式的是()A 非晶硒平扳探测器B 碘化铯+非晶硅平扳探测器C 利用影像板进行X线摄影D 闪烁体+CCD摄像机阵列E 硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

考题 单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是(  )。A 闪烁体B 非晶硒平板探测器C CCD摄像机阵列D 碘化铯+非晶硅探测器E 半导体狭缝线阵列探测器

考题 单选题CR利用()进行成像。A 光激励存储荧光体B 非晶硒等光电转换晶体C 稀土D 影像增强器E 光电倍增管

考题 单选题CR是利用()进行成像A 光激励存储荧光体B 非晶硒等光电转换晶体C 稀土D 影像增强器E 光电倍增管