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硅材料的PN结压降为()。

  • A、0.7V
  • B、0.3V
  • C、1V
  • D、2V

参考答案

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考题 半导体二极管和可控硅分别有一个PN结和三个PN结。() 此题为判断题(对,错)。

考题 锗材料PN结的结压降为()。A、0.7VB、0.3VC、1VD、2V

考题 硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的()。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性

考题 可控硅内部有()个PN结。A、一B、二C、三D、四

考题 硅材料PN结的结压降为()V。A、0.3B、1C、0.7D、2

考题 一般可控硅中含有()个PN结。

考题 硅管的正向压降为()V。

考题 可控硅有()个PN结。

考题 可控硅有()个pn结。A、2B、3C、4D、0

考题 硅二极管的工作电压为()。A、0.5~0.8VB、0.1~0.3VC、0.9~1VD、1~1.2V

考题 由于PN结内存在着内电场,因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是()。A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4VB、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2VC、电位降落的方向和内电场方向相反D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V

考题 晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。

考题 常温下,锗材料PN结正向导通电压为()左右。A、0VB、0.3VC、0.7VD、1.5V

考题 发光二极管的导通压降为()A、0.5~0.7VB、1V左右C、1.8~2.5V

考题 发光二极管的正向压降为()左右。A、0.2VB、0.7VC、2V

考题 硅二极管的正向导通压降约为()A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V

考题 硅管的正向压降为0.7V。()

考题 硅材料电力二极管正向压降为()A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V

考题 晶体管的PN结的正向压降为()。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右

考题 硅PN结的正向导通电压约为().A、小于0.1VB、0.2~0.3VC、0.6~0.7VD、大于1V

考题 锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度()。A、高B、低C、相等D、不定

考题 硅二极管的正向压降是()A、0.7VB、0.2VC、1V

考题 半导体二极管和可控硅分别有一个PN结和三个PN结。

考题 填空题一般可控硅中含有()个PN结。

考题 填空题可控硅有()个PN结。

考题 多选题晶体管的PN结的正向压降为()。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右

考题 单选题硅材料电力二极管正向压降为()A 0.3VB 0.7VC 1VD 1.5V