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问答题
什么叫做价带、导带、带隙？

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考题 在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
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考题 沉淀反应中抗原过量的现象称为( )A.后带B.前带C.高带D.等价带E.不等价带
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考题 抗原抗体特异性反应时，若抗原或抗体极度过剩则无沉淀形成，叫做A、前带B、后带C、带现象D、等价带E、拖尾
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考题 非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。 A.禁带B.允带C.导带D.价带
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考题 抗原抗体反应，抗体过量时称为A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和后带E.等价带抗原抗体反应，抗原过量时称为A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和后带E.等价带抗原抗体反应，抗原抗体最佳比例范围称为A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和后带E.等价带请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！
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考题 只形成可溶性的抗原抗体复合物 A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和等价带E.等价带
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考题 抗体过剩时称为 A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和等价带E.等价带
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考题 若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
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考题 下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
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考题 沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A、后带B、前带C、高带D、等价带E、不等价带
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考题 抗体过剩时称为（）A、前带B、后带C、前带或后带D、前带和等价带E、等价带
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考题 抗体过量时，称为（）A、带现象B、等价带C、前带D、后带E、比例性
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考题 抗原过量时，称为（）A、带现象B、等价带C、前带D、后带E、比例性
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考题 为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
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考题 只形成可溶性的抗原抗体复合物（）A、前带B、后带C、前带或后带D、前带和等价带E、等价带
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考题 单选题抗原抗体特异性反应时，若抗原或抗体极度过剩则无沉淀形成，叫做（）A 前带B 后带C 带现象D 等价带E 拖尾
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 配伍题只形成可溶性的抗原抗体复合物（）|抗体过剩时称为（）A前带B后带C前带或后带D前带和等价带E等价带
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考题 单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带，导带B 价带，禁带C 禁带，导带D 导带，价带
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考题 单选题只形成可溶性的抗原抗体复合物（）A 前带B 后带C 前带或后带D 前带和等价带E 等价带
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A 禁带B 满带C 导带D 价带
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考题 单选题沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A 后带B 前带C 高带D 等价带E 不等价带
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考题 单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题抗体过剩时称为（）A 前带B 后带C 前带或后带D 前带和等价带E 等价带
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