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单选题
当用斩波器调制入射光，使矩形光脉冲（周期小于ΔQ的平均寿命）作用到热电晶体表面的黑吸收层上，交变的ΔT使得晶体表面始终存在正比于入射光强的极化电荷这种现象称为（）
A

热电导效应

B

热压效应

C

热释电效应

D

光热效应

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更多 “单选题当用斩波器调制入射光，使矩形光脉冲（周期小于ΔQ的平均寿命）作用到热电晶体表面的黑吸收层上，交变的ΔT使得晶体表面始终存在正比于入射光强的极化电荷这种现象称为（）A 热电导效应B 热压效应C 热释电效应D 光热效应” 相关考题
考题 石英晶体受交变电场作用时,产生机械振动;若对其施以周期性机械力,则会在晶体表面出现交变电压。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 一线偏振光垂直入射到一方解石晶体上,它的振动面和主截面成30°角。两束折射光通过在方解石后面的一个尼科耳棱镜,其主截面与入射光的振动方向成50°角。计算两束透射光的相对强度。
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考题 石英晶体最主要的特性是具有()。即在石英晶体上加一正弦电压,石英就会产生周期性的()。反过来,这个振动又使石英晶体的()作周期性的变化。
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考题 当用晶体三级管作调制型直流放大器的调制器时，有人把管子的c、e反接，这种做法是（）。A、不正确的，易损坏晶体管B、无关大局，作调制器时，c、e正接和反接均可C、正确，可减少残余电压
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考题 发射机对输入的射频连续波进行（）才能形成发射的射频编码高斯脉冲。A、放大，矩形脉冲调制B、放大，高斯脉冲调制C、小功率进行高斯脉冲调制，放大后再矩形矩形脉冲调制D、小功率进行矩形脉冲调制，放大后再进行高斯脉冲调制
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考题 单结晶体管驰张振荡电路，电容上的电压波形是（）A、锯齿波B、正弦波C、矩形波D、尖脉冲
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考题 下列关于PET晶体厚度和尺寸的描述，错误的一项是（）。A、晶体加厚使入射光子与晶体的相互作用机会增加，探测效率提高B、晶体加厚使光电倍增管产生的脉冲能谱展宽，能量分辨下降C、晶体面积增大，PET灵敏度提高D、晶体面积增大，PET空间分辨率提高E、成像时，接收到的射线均定位在小晶体探测器的中心
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考题 斩波器的绝缘栅极晶体管工作在（）。
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考题 单结晶体管触发电路在一个电源周期内可能产生多个触发脉冲，通常每个触发脉冲都使单结晶体管由截止变导通一次。
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考题 影响干涉与消光的因素有（）A、晶体的光学性质B、入射光的波长C、光率体主轴与偏光振动方向的夹角D、晶体的轴性
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考题 某晶体的no=1.658，ne=1.486，入射光的波长为589.3nm，用该晶体做成的四分之一波片的最小厚度是（）。
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考题 如入射光为自然光，下列哪个不能作起偏器？（）A、二向色性晶体B、平面波璃C、偏振棱镜D、λ/4波片
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考题 “自相位调制”现象，使得脉冲宽度变（）。当这种现象与光纤色散平衡时，会产生无畸变的光脉冲，即（）。
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考题 影响晶体干涉的颜色的因素有（）A、晶体的双折射率B、晶体薄片的厚度C、晶体光率体主轴D、入射光的波长
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考题 氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于（）A、氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B、氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C、氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D、氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层
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考题 在热释电效应中，为了使产生的束缚电荷不被中和掉，就必须使晶体处于冷热交变工作状态。
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考题 PWM型晶体管调压器中调制电路的作用是（）。A、将脉冲信号变为连续信号B、将连续信号变为脉冲信号C、将梯形波变为矩形波D、将矩形波变为梯形波
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考题 晶体管斩波器是应用于直流电源方面的调压装置，但输出电压只能（）调。
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考题 单选题当用晶体三级管作调制型直流放大器的调制器时，有人把管子的c、e反接，这种做法是（）。A 不正确的，易损坏晶体管B 无关大局，作调制器时，c、e正接和反接均可C 正确，可减少残余电压
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考题 单选题利用斩波器通断光通量，使探测光成为调制光，这种调制叫（）A 电光调制；B 声光调制；C 磁光调制；D 机械调制。
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考题 单选题关于NaI(T1)晶体闪烁探测器，说法正确的是（　　）。A 探测器的输出脉冲幅度与射线在晶体中损失的能量成正比B 光电倍增管工作在饱和区，其输出脉冲幅度与样品的放射性活度成正比C 光导的作用是把闪烁光从光阴极引向晶体D 探测器的输出脉冲幅度与射线在光电倍增管中损失的能量成正比E 要求给晶体提供高稳定度的电压
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考题 单选题下列关于PET晶体厚度和尺寸的描述，错误的一项是（）。A 晶体加厚使入射光子与晶体的相互作用机会增加，探测效率提高B 晶体加厚使光电倍增管产生的脉冲能谱展宽，能量分辨下降C 晶体面积增大，PET灵敏度提高D 晶体面积增大，PET空间分辨率提高E 成像时，接收到的射线均定位在小晶体探测器的中心
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考题 单选题如入射光为自然光，下列哪个不能作起偏器？（）A 二向色性晶体B 平面波璃C 偏振棱镜D λ/4波片
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考题 单选题氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于（）A 氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B 氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C 氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D 氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层
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考题 多选题影响晶体干涉的颜色的因素有（）A晶体的双折射率B晶体薄片的厚度C晶体光率体主轴D入射光的波长
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考题 多选题影响干涉与消光的因素有（）A晶体的光学性质B入射光的波长C光率体主轴与偏光振动方向的夹角D晶体的轴性
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考题 填空题某晶体的no=1.658，ne=1.486，入射光的波长为589.3nm，用该晶体做成的四分之一波片的最小厚度是（）。
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