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问答题
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

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考题 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
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考题 晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
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考题 问答题什么是负光刻胶？
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考题 名词解释题正光刻胶
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考题 填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。
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考题 问答题简述光刻胶的概念及目的
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考题 问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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考题 判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错
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考题 填空题光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
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考题 多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀
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