考题
下列各项中不是电平控制型器件的是()。
A.GTOB.GTRC.IGBTD.MOSFET
考题
比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。
A.GTOB.GTRC.MOSFET
考题
在变频技术中,绝缘栅双极型晶体管的英文缩写是:()
A.GTOB.MOSFETC.PICD.IGBT
考题
()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
考题
绝缘栅双极型晶体管的简称是()。A、PowerMOSFETB、GTRC、GTOD、IGBT
考题
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。
A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
考题
绝缘栅双极晶体管IGBT将（）和GTR的优点集于一身。A、GTOB、MOSFETC、IPMD、GBT
考题
IGBT是（）和（）的复合管。A、GTOB、GTRC、P－MOSFETD、PD
考题
下列元件中属于半控型器件的是（）。A、GTOB、GTRC、SCRD、MOSFET
考题
功率场效应晶体管简称为（）。A、GTOB、GTRC、P－MOSFETD、IGBT
考题
不属于全控型功率电子器件的是（）。A、GTOB、GTRC、FSTD、MOSFET
考题
什么是绝缘栅双极晶体管（IGBT）？它有什么特点？
考题
绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
考题
可关断晶闸管简称为（）。A、GTOB、GTRC、P－MOSFETD、IGBT
考题
大功率晶体管的文字符号是（）A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、IGBT
考题
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
考题
电力晶体管简称为（）。A、GTOB、GTRC、P－MOSFETD、IGBT
考题
可关断晶闸管的文字符号是（）A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、IGBT
考题
功率场效应管的文字符号是（）A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、IGBT
考题
下列为电压型控制器件的是（）。A、GTOB、GTRC、P－MOSFETD、IGBT
考题
绝缘门极晶体管的文字符号是（）A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、IGBT
考题
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。A、集电极B、栅极C、发射极D、门极
考题
绝缘双栅双极晶体管的简称是（）。A、IGTB、PLCC、IBGTD、IGBT
考题
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
考题
判断题IGBT全称：绝缘栅形双极晶体管A
对B
错