网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

IGBT是全控型晶体管的一种,它的三端器件是()

  • A、阳极、漏极、集电极
  • B、栅极、集电极、发射极
  • C、阴极、漏极、集电极
  • D、阴极、栅极、集电极

参考答案

更多 “IGBT是全控型晶体管的一种,它的三端器件是()A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极” 相关考题
考题 IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式

考题 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等

考题 GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。

考题 一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电流型驱动器件。

考题 下列全控型器件中开关速度最快的是()。A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT

考题 IGBT是()型器件。A、全控B、半控

考题 下列电力电子器件属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、MOSFETE、IGBT

考题 下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极

考题 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

考题 在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。

考题 在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。

考题 IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。

考题 下列电力电子器件中不属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、IGBT

考题 判断题在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。A 对B 错

考题 单选题IGBT是()型器件。A 全控B 半控

考题 判断题轻型高压直流输电采用开通与关断均可控制的全控型电力电子器件,目前最为常用的是IGBT器件。A 对B 错

考题 判断题一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电流型驱动器件。A 对B 错

考题 多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于()器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型

考题 单选题下列器件中为全控型器件的是()。A 双向晶闸管B 快速晶闸管C 光控晶闸管D 功率场效应晶体管

考题 判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点,属电流型驱动器件。A 对B 错

考题 判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。A 对B 错

考题 问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

考题 判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。A 对B 错

考题 单选题下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A 是电压驱动型器件B 也称为绝缘栅极双极型晶体管C 属于全控型器件D 三个极为漏极、栅极和源极