网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:
题目内容
(请给出正确答案)
IGBT是全控型晶体管的一种,它的三端器件是()
- A、阳极、漏极、集电极
- B、栅极、集电极、发射极
- C、阴极、漏极、集电极
- D、阴极、栅极、集电极
参考答案
更多 “IGBT是全控型晶体管的一种,它的三端器件是()A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极” 相关考题
考题
在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。
考题
在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。
考题
单选题下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A
是电压驱动型器件B
也称为绝缘栅极双极型晶体管C
属于全控型器件D
三个极为漏极、栅极和源极
热门标签
最新试卷