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单选题
下列不是IGBT的电极是（）。
A

G

B

C

C

E

D

B

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
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考题 IGBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
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考题 不属于IGBT管特点的是（）A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件
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考题 IGBT器件具有（）。A、门极B、阳极C、发射极D、集电极
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考题 下列全控型器件中开关速度最快的是（）。A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT
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考题 IGBT是指（）。
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考题 下列不是复合型电力电子器件的是（）。A、GTOB、GTRC、P－MOSFETD、IGBT
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考题 下列不是IGBT的电极是（）。A、GB、CC、ED、B
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考题 IGBT是三端器件，三个引出电极分别是（）极、集电极和发射极。
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考题 IGBT是三端器件，三个引出电极分别是栅极、（）极和发射极。
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考题 IGBT的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极   栅极C、栅极、源极  漏极D、发射极、栅极、集电极
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考题 绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。A、集电极B、栅极C、发射极D、门极
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考题 IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极
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考题 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）。A、GTRB、MOSFETC、IGBT
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考题 多选题IGBT器件具有（）。A门极B阳极C发射极D集电极
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考题 填空题IGBT是三端器件，三个引出电极分别是栅极、（）极和发射极。
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考题 单选题下列哪种电极不是在实际使用中常常采用的二级参比电极（）A 饱和甘汞电极（SCE）B 氢标准电极（SHE）C 银－氯化银电极D 饱和硫酸铜电极
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考题 单选题IGBT的3个引出电极分别是（）A 阳极、阴极、门极B 阳极、阴极   栅极C 栅极、源极  漏极D 发射极、栅极、集电极
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考题 单选题下列各项中不是离子选择电极基本组成的有（）。A 电极管B 内参比电极C 外参比电极D 内参比溶液E 敏感膜
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