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3DG6型晶体管的ICM=20Ma,BUcE0=20V,PcM=100Mw,如果将它接在电路中,Ic=15Ma,UcE=10V,则该管()。

  • A、工作正常
  • B、击穿
  • C、管子过热甚至烧坏
  • D、必定烧坏

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考题 现场控制器的模拟量输入信号一般采用( )电信号。 A、0~10mA B、0~20mA C、0~20V D、0~10V

考题 Mondeo网络通讯错误的是()A、MondeoHS-CAN模块PCM,TCM,ABS,ICM,EATCB、MondeoMS-CAN模块只有GEMC、MondeoISO9141模块TCM,ABS,ICM,GEM,RCMD、Mondeo既属于HS-CAN又属于SCP的模块是PCM

考题 在Focus2.0AT上,高速网络(HS-CAN)连接了以下哪些模块?()A、DDCU、PDCU、RRDCU、RLDCUB、GEM、ICM、RCM、PAMC、RCM、TCM、ABS、EHPASD、ICM、EHPAS、PCM、TCM、ABS

考题 3DG6属于NPN型管。

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考题 福克斯用IDS诊断PATS系统故障时,发现ICM(HEC)中参数PCM-ID是notSTR,则表明()A、ICM中没有存储钥匙记录B、PCM中没有存储钥匙记录C、ICM中没有存储PCM唯一代码记录D、ICM不能识别收发器

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考题 用万用表欧姆档测量3DG6型晶体管的穿透电流应该用()档为好。A、R×1或R×10B、R×100C、R×1KD、R×10K

考题 某晶体管的集电极的最大允许耗散功率PCM=500mW,集电极最大允许电流ICM=500mA,在实际应用线路中测得它的集电极电流IC=100mA,UCE=6V,其后果为()A、该管应过热而损坏B、该管可长期安全工作C、该管可安全工作、但将下降

考题 根据国产半导体器件命名方法可知,3DG6为()A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

考题 某晶体管的极限参数ICM=20mA,PCM=100mW,U(BR)CEO=30V,因此,当工作电压UCE=10V时,工作电流IC不得超过()mA;当工作电压UCE=1V时,不得超过()mA;当工作电流IC=20mA时,CEU不得超过()V。

考题 如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM,则该管被击穿。

考题 表明晶体管质量优劣的主要参数是()。A、β、ICBO(ICEO)B、ICM、PCMC、,ICMD、,PCM

考题 表明晶体管质量优劣的主要参数是()。A、β,ICBO,(ICEO)B、ICM、PCMC、U(BR)CEO,ICM

考题 有人选用最大允许集电极电流ICM=20mA,最大允许电压UCEO=20V,集电极最大允许耗散功率PCM=100mW的三极管组成放大电路,其静态工作点IC=15mA,UCE=10V,则该管应属于下列四种状态中的()A、可以正常放大B、可能击穿C、放大性能较差D、过热或烧坏

考题 某乙类双电源互补对称功率放大电路中,电源电压为±20V,负载为8Ω,则选择管子时,要求U(BR)CEO大于()V,ICM大于()A,PCM大于()W。

考题 有人测试晶体管的γbe,方法是通过测得晶体管的UBE=0.7,IB=20mA,推算出γbe=UBE/IB=0.7V/20mA=35KΩ。

考题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

考题 某晶体管的极限参数PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。若它的工作电压UCE=10V,则工作电流不得超过()mA;若工作电压UCE=1V,则工作电流不得超过()mA;若工作电流IC=1mA,则工作电压不得超过()V。

考题 晶体管晶体管图示仪用完后,只要将集电极扫描峰压范围置于0~20V就行了。

考题 3DG6D型晶体三极管的PCM=100mW,ICM=20mA,UBR(CEO)=30V,如果将它接在IC=15mA,UCE=20V的电路中,则该管()。A、击穿B、工作正常C、功耗太大过热,甚至烧坏D、不确定

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考题 单选题在Focus2.0AT上,高速网络(HS-CAN)连接了以下哪些模块?()A DDCU、PDCU、RRDCU、RLDCUB GEM、ICM、RCM、PAMC RCM、TCM、ABS、EHPASD ICM、EHPAS、PCM、TCM、ABS