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PN结的反向漏电流（）而急剧增大。

  • A、随着电压的升高
  • B、随着电压的降低
  • C、随着温度的升高
  • D、随着温度的降低

参考答案

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考题 在PN结上施加电压时,多数()中一部分可以越过势垒而进入导电,若PN结加反向电压,则电路中几不流过电流,当电流高到某一数值时,电流就突然增大,称这种现象为(),这可以用电子的()及齐纳效应来说明。
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考题 若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
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考题 PN结具有()性能,即加正向电压时,形成的正向电流();加反向电压时,形成的反向电流()。
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考题 二极管中电流(),晶体管中从C极到E极的电流(),场效应管的漏极电流()。 A、穿过两个PN结B、穿过一个PN结C、不穿过PN结D、穿过三个PN结
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考题 PN结P区的电位高于N区的电位称为（），简称正偏，此时电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大。A、加反向电压B、加反向电流C、加正向电压D、加正向电流
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考题 PN结加上反向电压时就没有任何电流通过。
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考题 半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
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考题 PN结外加（）电压时，电路中只有很小的电流。A、直流B、交流C、正向D、反向
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考题 PN结的正向电流随正向电压的增加而按指数规律增大。
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考题 PN结具有（）性能，即加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
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考题 当PN结加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）A、大于B、变窄C、等于D、小于E、变宽F、不变
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考题 如果PN结的反向电流急剧增加，称为（）A、反向导通B、反向截止C、反向击穿D、反向饱和
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考题 PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
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考题 简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。
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考题 PN结击穿后，它的反向电流将（）A、急剧减小B、减小C、几乎不变D、急剧增大
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考题 PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
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考题 PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
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考题 PN结反向工作时，流过的电流主要是（）A、扩散电流B、漂移电流C、传导电流D、扩散和漂移电流并存
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考题 当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽
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考题 当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。A、大于B、小于C、等于
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考题 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
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考题 如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）A、阻当层不变，反向电流基本不变B、阻当层变厚，反向电流基本不变C、阻当层变窄，反向电流增大D、阻当层变厚，反向电流减小
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考题 PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
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考题 PN结反向电压的数值增大，但小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增加B、其正向电流增加C、其反向电流基本不变D、其反向电流减小
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考题 稳压管虽然工作在反向击穿区，但只要（）不超过允许值，PN结不会过热而损坏。A、电压B、反向电压C、电流D、反向电流
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考题 填空题PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
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