考题
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
考题
温度升高时,PN结的反向饱和电流将减小。()
此题为判断题(对，错)。
考题
稳压管的稳压性能是利用（ ）实现的。A.PN结的单向导电性
B.PN结的反向击穿特性
C.PN结的正向导通特性
D.PN工艺特性
考题
半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的反向击穿特性特性来实现的。
考题
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。A、扩散层质量B、设计C、光刻
考题
稳压管是利用PN结的（）特性来实现稳压的。A、正向电压B、反向击穿电压C、最大整流电流
考题
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑
考题
如果PN结的反向电流急剧增加，称为（）A、反向导通B、反向截止C、反向击穿D、反向饱和
考题
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
考题
稳压管的稳压性能是利用PN结的（）。A、单向导电特性B、反向截止特性C、反向击穿特性
考题
简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。
考题
硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）
考题
PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
考题
PN结的伏安特性方程可以描述其正向特性和反向特性，也可以描述其击穿特性。
考题
PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
考题
稳压二极管在稳压状态时，它的PN结处在（）状态。A、反向截止B、反向击穿C、正向导通D、零偏
考题
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
考题
如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）A、阻当层不变，反向电流基本不变B、阻当层变厚，反向电流基本不变C、阻当层变窄，反向电流增大D、阻当层变厚，反向电流减小
考题
半导体稳压管的稳压作用是利用（）A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
考题
稳压管是利用PN结的（）特性来实现稳压的。A、正向电压B、反向击穿电压C、最大整流电流D、方向截止
考题
PN结反向电压的数值增大，但小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增加B、其正向电流增加C、其反向电流基本不变D、其反向电流减小
考题
稳压管虽然工作在反向击穿区，但只要（）不超过允许值，PN结不会过热而损坏。A、电压B、反向电压C、电流D、反向电流
考题
填空题PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。