网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
单选题
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。
A

 激活杂质后

B

 一种物质在另一种物质中的运动

C

 预淀积

D

 高温多步退火


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。A  激活杂质后B  一种物质在另一种物质中的运动C  预淀积D  高温多步退火” 相关考题
考题 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂,但主要可分为()扩散和()扩散两种。

考题 例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

考题 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:()

考题 固体中的扩散模型主要有填隙机制和()。A、自扩散机制B、杂质扩散机制C、空位机制D、菲克扩散方程机制

考题 在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为()。A、填隙扩散B、杂质扩散C、推挤扩散D、自扩散

考题 下列扩散杂质源中,()不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。A、硼B、锡C、锑D、磷E、砷

考题 压阻式压力传感器是基于()的原理工作的。A、扩散硅受压电容变化B、扩散硅受压电荷变化C、扩散硅受压电阻值变化D、扩散硅受压电流变化

考题 扩散硅式压力变送器的工作主要是基于()。A、硅晶体的压阻效应B、硅晶体的扩散效应C、硅晶体的应变效应D、硅晶体的半导体特性

考题 在晶体扩散模型中,()和()是最重要的两种扩散机制。

考题 在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响,主要是通过(),使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B

考题 由于处于晶格位置和间隙位置的粒子势能的不同,在易位扩散、间隙扩散和空位扩散三种机制中,其扩散活化能的大小为()。A、易位扩散=间隙扩散空位扩散B、易位扩散间隙扩散=空位扩散C、易位扩散间隙扩散空位扩散D、易位扩散间隙扩散空位扩散

考题 简述扩散的原因及晶体材料的扩散机制。

考题 填空题在晶体扩散模型中,()和()是最重要的两种扩散机制。

考题 填空题杂质原子(或离子)在半导体晶片中的扩散机构比较复杂,但主要可分为两种机构:替位式扩散和()式扩散。

考题 填空题晶体中五种扩散机制为()、()、()、()和(),其中()是离子晶体中最常见的扩散机制,其扩散活化能包括()和()。

考题 填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。

考题 判断题替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。A 对B 错

考题 填空题热扩散利用()驱动杂质穿过硅的晶体结构,这种方法受到()和()的影响。

考题 判断题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。A 对B 错

考题 判断题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种:间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。A 对B 错

考题 单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些()      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A ②④B ①③C ①④D ②③

考题 填空题杂质原子在其它晶格中扩散时的推动力为(),同种原子在自己晶格中自扩散的推动力为()。

考题 单选题由于处于晶格位置和间隙位置的粒子势能的不同,在易位扩散、间隙扩散和空位扩散三种机制中,其扩散活化能的大小为()。A 易位扩散=间隙扩散空位扩散B 易位扩散间隙扩散=空位扩散C 易位扩散间隙扩散空位扩散D 易位扩散间隙扩散空位扩散

考题 问答题杂质在硅中的扩散方式有哪些?

考题 问答题杂质在硅中有哪些扩散机制?

考题 填空题硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤()、()和()。

考题 单选题扩散硅式压力变送器的工作主要是基于()。A 硅晶体的压阻效应B 硅晶体的扩散效应C 硅晶体的应变效应D 硅晶体的半导体特性