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单选题
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。
A
激活杂质后
B
一种物质在另一种物质中的运动
C
预淀积
D
高温多步退火
参考答案
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解析:
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考题
由于处于晶格位置和间隙位置的粒子势能的不同,在易位扩散、间隙扩散和空位扩散三种机制中,其扩散活化能的大小为()。A、易位扩散=间隙扩散空位扩散B、易位扩散间隙扩散=空位扩散C、易位扩散间隙扩散空位扩散D、易位扩散间隙扩散空位扩散
考题
单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些() ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数 ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数 ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度 ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A
②④B
①③C
①④D
②③
考题
单选题由于处于晶格位置和间隙位置的粒子势能的不同,在易位扩散、间隙扩散和空位扩散三种机制中,其扩散活化能的大小为()。A
易位扩散=间隙扩散空位扩散B
易位扩散间隙扩散=空位扩散C
易位扩散间隙扩散空位扩散D
易位扩散间隙扩散空位扩散
考题
单选题扩散硅式压力变送器的工作主要是基于()。A
硅晶体的压阻效应B
硅晶体的扩散效应C
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硅晶体的半导体特性
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