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题目内容
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对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）
- A、突触前轴突末梢超极化
- B、对Ca2+、K+通透性增大
- C、突触后膜出现超极化
- D、突触后膜去极化
- E、突触前膜去极化
参考答案
更多 “对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）A、突触前轴突末梢超极化B、对Ca2+、K+通透性增大C、突触后膜出现超极化D、突触后膜去极化E、突触前膜去极化” 相关考题
考题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）A、突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C、突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高D、突触后膜出现超极化电位
考题
关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）A、突触前轴突末梢超极化B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C、突触后膜去极化D、突触后膜电位负值增大，出现超极化E、突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大
考题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）A、突触前轴突末梢去极化B、Ca2+由膜外进入突触前膜内C、突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E、突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）A
突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B
突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C
突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高D
突触后膜出现超极化电位
考题
单选题关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）A
突触前轴突末梢超极化B
突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C
突触后膜去极化D
突触后膜电位负值增大，出现超极化E
突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大
考题
单选题关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）A
突触前轴突末梢超极化B
突触后膜对Ca2+、K+通透性增大C
突触后膜极化D
突触后膜出现超极化E
突触后膜出现复极化
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