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关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是
A.突触后膜出现复极化
B.对Ca、K通透性增大
C.突触后膜出现超极化
D.突触前轴突末梢超极化
E.突触后膜去极化
B.对Ca、K通透性增大
C.突触后膜出现超极化
D.突触前轴突末梢超极化
E.突触后膜去极化
参考答案
参考解析
解析:
更多 “关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是A.突触后膜出现复极化 B.对Ca、K通透性增大 C.突触后膜出现超极化 D.突触前轴突末梢超极化 E.突触后膜去极化” 相关考题
考题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
考题
多选题下列有关突触前抑制的叙述,正确的是:()A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小E引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大
考题
单选题关于棘慢复合波的产生机制,正确的是( )。A
棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B
棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C
棘波是由抑制性突触后电位构成,慢波是由兴奋性突触后电位构成D
棘波是由兴奋性突触后电位构成,慢波是由抑制性突触后电位构成E
棘波、慢波是由突触前电位构成
考题
单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是()A
K+B
H+C
Ca2+D
Cl-E
Na+
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