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焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。

  • A、800±50℃
  • B、900±50℃
  • C、1000±50℃
  • D、1100±50℃

参考答案

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考题 ()温度确定的依据是焦饼中心温度。
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考题 确定标准温度的依据是() A、横墙温度B、焦饼中心温度C、直行温度
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考题 焦饼中心温度上下温差不超过150℃。
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考题 测量焦饼中心温度的目的是什么？
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考题 焦饼中心温度一般控制在（）。
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考题 在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？
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考题 焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
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考题 改变结焦时间或改变标准温度时，应该加测焦饼中心温度。
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考题 当焦饼中心温度达到（）时，焦炭即告成熟。A、800℃B、950℃C、1000℃D、1050℃
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考题 通常表征焦炭成熟的温度指标是（）。A、炉顶空间温度B、焦饼中心温度C、标准火道温度D、横排温度
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考题 焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
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考题 一般焦饼中心温度达到（）可视为焦饼成熟。
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考题 测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
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考题 测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
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考题 焦饼中心温度一般控制在1000+50℃。
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考题 焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。
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考题 用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时，管端距炭化室底部约为（）mm。A、300B、600C、800
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考题 最能反映焦炭成熟的温度指标是（）。A、炉顶空间温度B、焦饼中心温度C、直行温度D、横排温度
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考题 焦饼中心温度为900±50℃。
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考题 焦饼中心温度上下两点温度差不超过（）℃。
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考题 改变结焦时间或改变标准温度时，应该测量焦饼中心温度。
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考题 填空题（）温度确定的依据是焦饼中心温度。
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考题 单选题最能反映焦炭成熟的温度指标是（）。A 炉顶空间温度B 焦饼中心温度C 直行温度D 横排温度
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考题 问答题在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？
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考题 判断题焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。A 对B 错
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考题 单选题焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。A 800±50℃B 900±50℃C 1000±50℃D 1100±50℃
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考题 单选题用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时，管端距炭化室底部约为（）mm。A 300B 600C 800
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