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在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？

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考题 ()温度确定的依据是焦饼中心温度。
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考题 测量焦饼中心温度的目的是什么？
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考题 焦饼中心温度一般控制在（）。
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考题 焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
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考题 测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。
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考题 焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
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考题 一般焦饼中心温度达到（）可视为焦饼成熟。
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考题 测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
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考题 测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
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考题 焦饼中心温度一般控制在1000+50℃。
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考题 焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。A、800±50℃B、900±50℃C、1000±50℃D、1100±50℃
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考题 用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时，管端距炭化室底部约为（）mm。A、300B、600C、800
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考题 配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。
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考题 测量焦饼中心温度,插管时必须使炉盖上的孔与炭化室中心线一致。
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考题 焦饼中心温度为900±50℃。
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考题 改变结焦时间或改变标准温度时，应该测量焦饼中心温度。
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考题 正常情况下，焦饼中心温度每季度测量两次。
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考题 以下关于装煤过满的论述正确的是（）。A、煤线测量数据小B、焦线测量数据小C、焦饼中心温度低D、炉顶空间温度高
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考题 填空题（）温度确定的依据是焦饼中心温度。
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考题 判断题测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。A 对B 错
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考题 判断题正常情况下，焦饼中心温度每季度测量两次。A 对B 错
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考题 判断题配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。A 对B 错
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考题 判断题改变结焦时间或改变标准温度时，应该测量焦饼中心温度。A 对B 错
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考题 问答题测量焦饼中心温度的目的是什么？
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考题 判断题测量焦饼中心温度,插管时必须使炉盖上的孔与炭化室中心线一致。A 对B 错
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考题 问答题在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？
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考题 多选题以下关于装煤过满的论述正确的是（）。A煤线测量数据小B焦线测量数据小C焦饼中心温度低D炉顶空间温度高
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