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测焦饼中心温度是为了(),对大型硅砖焦炉来说,要求最终的焦饼中心温度是()。


参考答案

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考题 确定标准温度的依据是() A、横墙温度B、焦饼中心温度C、直行温度

考题 测量焦饼中心温度的目的是什么?

考题 对于同一座焦炉,标准温度是根据焦饼中心温度来确定的,结焦时间越长,标准温度越()。

考题 在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

考题 改变结焦时间或改变标准温度时,应该加测焦饼中心温度。

考题 焦饼的中心温度一般在()℃,焦饼上、下温差应小于()℃。

考题 一般焦饼中心温度达到()可视为焦饼成熟。

考题 测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?

考题 焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A、800±50℃B、900±50℃C、1000±50℃D、1100±50℃

考题 焦饼中心温度是确定标准立火道温度的依据,同时又是确定机焦侧温度差的依据。

考题 焦饼中心温度出焦前()小时测一次温度,以后每隔半小时测一次,共三次。A、1.5B、2.0C、2.5

考题 焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。

考题 用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时,管端距炭化室底部约为()mm。A、300B、600C、800

考题 焦饼中心温度是确立标准立火道温度的依据,同时又是确定机,焦侧温度差的依据。

考题 ()温度确定的依据是焦饼中心温度。

考题 焦饼中心温度为900±50℃。

考题 焦饼中心温度上下两点温度差不超过()℃。

考题 改变结焦时间或改变标准温度时,应该测量焦饼中心温度。

考题 焦饼中心温度上下温差不超过150℃。

考题 填空题()温度确定的依据是焦饼中心温度。

考题 判断题改变结焦时间或改变标准温度时,应该加测焦饼中心温度。A 对B 错

考题 填空题对于同一座焦炉,标准温度是根据焦饼中心温度来确定的,结焦时间越长,标准温度越()。

考题 判断题焦饼中心温度是确立标准立火道温度的依据,同时又是确定机,焦侧温度差的依据。A 对B 错

考题 问答题在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

考题 判断题焦饼中心温度为900±50℃。A 对B 错

考题 单选题焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A 800±50℃B 900±50℃C 1000±50℃D 1100±50℃

考题 单选题用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时,管端距炭化室底部约为()mm。A 300B 600C 800