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温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。


参考答案

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考题 在温度升高时,本征半导体中载流子的数量将()

考题 本征半导体温度升高后,两种载流子浓度不再相等。()

考题 本征半导体的载流子包括自由电子和空穴σ=n︱e︱μe+P︱e︱μh()

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 半导体中自由电子和空穴数目相等这样半导体叫做()。A、N型半导体B、P型半导体C、本征半导体

考题 杂质半导体()A、自由电子和空穴的浓度不相等B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度无法确定

考题 关于本征半导体载流子,下面描述错误的是:()A、自由电子和空穴总是成对出现B、电子可以自由移动,空穴不能自由移动C、在温度升高和受光照射时,载流子的数目将增加D、自由电子和空穴在外电场作用下,运动方向相反,形成的电流方向相同,总电流是两者之和

考题 P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A、空穴;空穴B、空穴;自由电子C、自由电子;空穴D、自由电子;自由电子

考题 在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子

考题 本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是()。A、自由电子数目增加,空穴数目不变B、空穴数目增多,自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同D、自由电子和空穴数目不变

考题 下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子

考题 在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 在本征半导体中,因为有自由电子和空穴两种载流子,所以其导电能力很强。

考题 本征半导体载流子()A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等

考题 在半导体中,自由电子和空穴都是载流子。

考题 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

考题 本征半导体温度升高以后()。A、自由电子增多,空穴数基本不变B、空穴数增多,自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多,且数目相同

考题 温度升高,本征载流子浓度();杂质半导体中少子浓度(),多子浓度()

考题 在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。A、大于B、等于C、小于

考题 半导体中的载流子是指()A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴

考题 本征半导体温度升高后()。A、自由电子数目增多,空穴数目基本不变B、空穴数目增多,自由电子数目基本不变C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同D、自由电子和空穴数目不变

考题 本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 半导体中自由电子与空穴数目相等,这样的半导体叫做()。A、N型半导体此同时B、P型半导体C、本征半导体D、PN型半导体

考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

考题 单选题在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。A 空穴/自由电子B 自由电子/空穴C 空穴/共价键电子D 负离子/正离子

考题 判断题本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。A 对B 错

考题 单选题本征半导体载流子()A 自由电子和空穴的浓度无法确定B 自由电子的浓度小于空穴的浓度C 自由电子的浓度大于空穴的浓度D 自由电子和空穴的浓度相等