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齐纳击穿时的击穿电压约()V,当反向击穿电压()时,为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数,而雪崩击穿具有()电压温度系数。


参考答案

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考题 二极管的击穿分两种,分别是()。 A、正向击穿B、反向击穿C、雪崩击穿D、齐纳击穿

考题 晶体三极管的反向击穿电压是基极开路时e、c两极之间的击穿电压。() 此题为判断题(对,错)。

考题 当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。 () 此题为判断题(对,错)。

考题 二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A.雪崩、齐纳B.虚、实C.电压、电流D.PN、NP

考题 二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为()。 A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿

考题 当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?() A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿

考题 在同一测试条件下,测得4个同型号二极管的参数,其中哪个二极管性能最好?( )A.正向电流、正向电压相同:100mA反向电流、反向电压相同:8μA反向击穿电压:200V B.正向电流、正向电压相同:100mA反向电流、反向电压相同:2μA反向击穿电压:200V C.正向电流、正向电压相同:100mA反向电流、反向电压相同:6μA反向击穿电压:200V D.正向电流、正向电压相同:100mA反向电流、反向电压相同:10μA反向击穿电压:200V

考题 对极不均匀电场,当棒为正极时,直流击穿电压与工频击穿电压(幅值)相比接近相等。

考题 可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()V。

考题 二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A、雪崩、齐纳B、虚、实C、电压、电流D、PN、NP

考题 晶体二极管的最大反向的工作电压()。A、等于击穿电压B、漏电达到10mA时的电压C、漏电达到1mA时的电压D、取反向击穿电压的一半

考题 湿度对气体间隙的击穿电压有影响,当湿度增大时,气体间隙的击穿电压增高。

考题 对极不均匀电场,当棒为负极时,直流击穿电压与工频击穿电压(幅值)相比要接近相等。

考题 晶闸管反向阻峰值电压规定比反向击穿电压小()。

考题 使二极管击穿的临界电压称为二极管的()A、反向工作电压B、最高反向工作电压C、反向击穿电压

考题 二极管的齐纳击穿会烧坏PN结,而雪崩击穿不会烧坏PN结。

考题 当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反中向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。()

考题 当超过下列哪个参数时,三极管一定被击穿()。A、集电极最大允许功耗PCMB、集电极最大允许电流ICMC、集-基极反向击穿电压U(BR)CBO

考题 PN结反向击穿电压的数值增大,小于击穿电压,()。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变

考题 当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时,主要发生何种击穿()A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿

考题 稳压二极管与普通二极管的区别包括()、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态。

考题 关于稳压二极管的特性,下列说法中正确的有()A、它在正向击穿电压状态下工作B、当反向电压小于其击穿电压时,反向饱和电流近似为零C、当反向电压大于其击穿电压时,反向饱和电流急剧增大D、其内部结构与晶体三极管相似E、它在反向击穿电压状态下工作

考题 在电子电路中,下列有关稳压管的特性()正确的。A、它在反向击穿电压状态下工作B、当反向电压小于其击穿电压时,反向饱和电流近似为零C、当反向电压大于其击穿电压时,反向饱和电流急剧增大D、其内部结构与晶体三极管相似E、它对正向电压起稳定作用

考题 什么叫二极管的反向击穿和反向击穿电压?

考题 当外施电压作用时间长时,击穿电压下降;介质的温度升高;随着周围温度的升高,击穿电压降低;击穿电压与电场的均匀程度关系不大。上述内容是()的特点。A、电击穿B、热击穿C、电化学击穿D、击穿

考题 在棒板间隙间加电压时,当棒为正极时()。A、击穿电压较高B、电晕起始电较低C、击穿电压较低D、电晕起始电压较高

考题 填空题PN结的掺杂浓度越高,雪崩击穿电压越();结深越浅,雪崩击穿电压就越()。