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可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。

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考题 二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 晶闸管反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()。 A、50VB、80VC、100VD、120V
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考题 晶闸管正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()。 A、100VB、120VC、150VD、180V
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考题 在同一测试条件下，测得4个同型号二极管的参数，其中哪个二极管性能最好？( )A.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：8μA反向击穿电压：200V B.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：2μA反向击穿电压：200V C.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：6μA反向击穿电压：200V D.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：10μA反向击穿电压：200V
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考题 晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。A、100B、120C、150D、180
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考题 晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
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考题 可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。
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考题 可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
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考题 三相可控硅整流电路中，每个可控硅承受的最大反向电压是二次（）。A、相电压值B、相电压峰值C、线电压值D、线电压峰值
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考题 可控硅的正向阻断是（）。A、可控硅加小向阳极电压，控制极加反向电压B、可控大地加厂向阳极电压，控制极不加反向电压C、可控硅加反向阳极电压，控制极加正向电压D、可控硅加反向阳极电压，控制极加反向电压
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考题 二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。（）
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考题 可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。A、50B、80C、100D、120
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考题 晶闸管反向重复峰值电压（有称反向阻断峰值电压）规定比反向击穿电压小（）V。A、50B、80C、100D、120
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考题 晶闸管反向阻峰值电压规定比反向击穿电压小（）。
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考题 如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。A、700VB、750VC、800VD、850V
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考题 当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反中向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。（）
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考题 齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。
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考题 取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）。A、转折电压B、反向击穿电压C、阈值电压D、额定电压
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考题 KP10-20表示普通反向阻断型晶闸管的正反向重复峰值电压（）。A、1000VB、10VC、2000VD、20V
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考题 晶闸管的额定电压是在（）中取较小的一个。A、正向重复峰值电压B、正向转折电压C、反向不重复峰值电压D、反向重复峰值电压E、反向击穿电压
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考题 可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等。
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考题 二极管的最高反向工作电压（峰值）就是二极管反向击穿电压值。
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考题 一般地，晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。
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考题 填空题晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
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考题 单选题取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）。A 转折电压B 反向击穿电压C 阈值电压D 额定电压
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考题 填空题晶闸管反向阻峰值电压规定比反向击穿电压小（）。
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