考题
硅二极管的死区电压约为()伏。
A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
考题
锗二极管的死区电压约为()伏。
A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5
考题
一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 ()
此题为判断题(对，错)。
考题
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
考题
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()
此题为判断题(对，错)。
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏。A. 0.2，0.7B. 0.5，0.2C. 0.7， 1.0
考题
二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。A.0.10.2
B.0.20.3
C.0.50.1
D.0.50.4
考题
为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少？
考题
硅半导体二极管的死区电压约为（）。A、0.2VB、1.2VC、0.5VD、1.5V
考题
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
锗二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
考题
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
考题
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少伏？
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
考题
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
考题
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？