考题
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
考题
在三极管的输入特性曲线中,锗管的死区电压约为()左右。
A.0.3VB.0.1VC.0.2VD.0.5V
考题
二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。A.0.10.2
B.0.20.3
C.0.50.1
D.0.50.4
考题
小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
考题
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A、0.7B、0.5C、0.2
考题
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
锗二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
考题
硅管的死区电压约为（）。A、0.8VB、0.9VC、0.7VD、0.6V
考题
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
考题
在三极管的输入特性曲线中，锗管的死区电压约为（）左右。A、0.3VB、0.1VC、0.2VD、0.5V
考题
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
考题
硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
考题
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
考题
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A、0.7B、0.5C、0.2D、0.3
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
考题
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
考题
判断题锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。A
对B
错
考题
单选题对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A
0.7B
0.5C
0.2
考题
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？