考题
MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。()
此题为判断题(对，错)。
考题
CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()
此题为判断题(对，错)。
考题
结型场效应管的类型有()。
A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
考题
结型场效应管可分为（）。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型
考题
单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
考题
按照导电沟道的不同，MOS管可分为（）。A、NMOSB、PMOSC、CMOSD、DMOSE、SMOS
考题
单极型晶体管又称为（）管，其导电沟道有（）沟道和（）沟道。
考题
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
MOS种类分为？（）A、P沟道场管B、Q沟道场管C、D沟道场管D、N沟道场管
考题
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
考题
场效应管的类型按沟道分为（）型和（）型；按结构分有（）型和（）型；按uGS=0时有无导电沟道分为（）型和（）型。
考题
N沟道MOS管，VGS越向正值方向增大，ID越（）
考题
MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。
考题
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
考题
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
考题
场效应管按结构分为（）和（），按沟道分为（）和（）。
考题
MOS场效应管按导电沟道划分为N和（）两大类。
考题
P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为（）。A、正值B、负值C、零
考题
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
考题
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
考题
问答题试述MOS管沟道长度L和宽度W与阈值电压的关系。
考题
填空题单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。
考题
问答题为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
考题
问答题按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？
考题
问答题根据形成导电沟道载流子类型的不同，MOS管有几种类型？