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测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于（）Ω，交流电阻等于26Ω。

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考题 在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
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考题 硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
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考题 在同一测试条件下，测得4个同型号二极管的参数，其中哪个二极管性能最好？( )A.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：8μA反向击穿电压：200V B.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：2μA反向击穿电压：200V C.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：6μA反向击穿电压：200V D.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：10μA反向击穿电压：200V
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考题 当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。
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考题 在二极管两端加正向电压时，正向电流（），二极管处于（）状态。
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考题 已知一只二极管的正向压降为0.7V，通过它的电流为50mA，此情况下，二极管的正向电阻为（）Ω
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考题 二极管正向导通后，其正向电流与正向电压是线性关系。
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考题 二极管导通时，正向压降为0.7V。
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考题 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为（）A、0.3B、0.7C、0D、10
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考题 二极管正向导通后，正向管压降几乎不随电流变化。
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考题 二极管的特征参数为正向电流、反向电流和（）。
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考题 当正向电压很小时，二极管的正向电流几乎为零，呈现（）电阻。
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考题 发光二极管的正向压降为（）左右。A、0.2VB、0.7VC、2V
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考题 常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
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考题 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（），正向压降将（）。
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考题 在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
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考题 在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
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