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二极管正向导通后，正向管压降几乎不随电流变化。

参考答案

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考题 二极管正向导通后,电流迅速上升,管压降也随着上升。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
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考题 极管如果采用正向接法，稳压二极管将（）A、稳压效果变差B、稳定电压变为二极管的正向导通压降C、截止D、稳压值不变，但稳定电压极性发生变化
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考题 二极管正向导通后，其正向电流与正向电压是线性关系。
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考题 稳压二极管是利用（）情况下管子电流变化很大而电压基本不变的这一特性。A、反向导通B、正向导通C、大电流D、高电压
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考题 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。
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考题 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
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考题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（）
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考题 在线性检波电路中，二极管的正向导通压降是否带来检波误差？
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考题 常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
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考题 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
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考题 硅管的正向导通压降大于锗管。
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考题 在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
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考题 在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
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考题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）
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考题 二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
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考题 在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
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考题 普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
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考题 试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
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考题 对于晶体二极管，下列说法中正确的是（）。A、最大反向电流大，说明二极管的单向导电性能好B、最大反向电流大，说明二极管受温度影响大C、二极的正向电压必须达到一定时，二极管才导通D、二极管正向导通后，正向电流可无限大E、当反向电压达到一定时，二极管反向导通会造成损坏
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考题 二极管正向导通后，电流迅速上升，但（）变化不大。
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考题 利用二极管（）的特性，可以获得较好的稳压性能。A、单向导通B、反向击穿C、正向导通D、正向压降
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考题 问答题试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
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考题 问答题在线性检波电路中，二极管的正向导通压降是否带来检波误差？
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考题 填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
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考题 判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A 对B 错
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