考题
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
考题
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
考题
某CMOS开漏输出门驱动发光二极管,若电源电压为5V,发光二极管电流为5mA,发光管压降为1.8V,试计算上拉电阻值。
考题
发光二极管正常工作时的正向压降大约为（）A、0.2～0.3VB、0.6～0.7VC、1.5～3VD、0.1～1V
考题
小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。
考题
已知一只二极管的正向压降为0.7V，通过它的电流为50mA，此情况下，二极管的正向电阻为（）Ω
考题
若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为（）A、0.3B、0.7C、0D、10
考题
发光二极管工作时，应加（）。A、正向电压B、反向电压C、正向电压或反向电压D、无法确定
考题
发光二极管的导通压降为（）A、0.5～0.7VB、1V左右C、1.8～2.5V
考题
发光二极管的正向压降为（）左右。A、0.2VB、0.7VC、2V
考题
测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于（）Ω，交流电阻等于26Ω。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
考题
硅材料电力二极管正向压降为（）A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V
考题
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
考题
得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于（）Ω，交流电阻等于（）Ω。
考题
普通电力二极管正向通态压降为（）V。A、1B、3C、5D、7
考题
常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。A、0.3V；B、0.7V；C、1V
考题
红色发光二极管导通时的正向压降约为（）。A、0.7VB、1.4VC、2.1VD、根据电流变化，无法确定
考题
单选题普通电力二极管正向通态压降为（）V。A
1B
3C
5D
7
考题
单选题发光二极管正常工作时的正向压降大约为（）A
0.2～0.3VB
0.6～0.7VC
1.5～3VD
0.1～1V
考题
单选题若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为（）A
0.3B
0.7C
0D
10
考题
多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右
考题
单选题硅开关二极管导通时的正向压降为（）。A
0.5VB
0.7VC
0.1VD
0.3V