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读时间和读周期

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考题 假设8086CPU的主频为5MHz，内存芯片的存取时间为250ns，下面说法中正确的是A.读/写内存时不需要加入等待周期TwB.读/写内存时至少需加入1个等待周期TwC.读/写内存时至少需加入2个等待周期TwD.读/写内存时至少需加入3个等待周期Tw
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考题 在执行指令MOV [BX], AX时，CPU进入A.I/O写总线周期B.存储器写总线周期C.I/O读总线周期D.存储器读总线周期
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考题 8086微处理器连续两次读/写操作允许的最短时间间隔称为A.存取周期B.总线周期C.时钟周期D.机器周期
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考题 8086CPU对内存读/写操作，需两个总线周期的读/写操作是。（）A.从偶地址读/写一个字节 B.从奇地址读/写一个字节 C.从偶地址读/写一个字 D.从奇地址读/写一个字
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考题 存储器进行一次完整的读/写操作所需的全部时间称为()。A.存取时间 B.存取周期 C.CPU周期 D.机器周期
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考题 在英语的听、说、读、写这四种技能中，（）于接受技能，（）产出技能。A、听和说，读和写B、听和读，说和写C、读和说，听合写D、听，说、读和写
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考题 存储器进行一次完整的读/写操作所需的时间，称为存储周期。
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考题 计算机的存取周期是指对存储器完成（）。A、一次读或写的时间B、一次读和写的时间C、连续二次读或写的时间D、连续二次读和写的时间
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考题 连续启动两次独立的存储操作之间的最小间隔叫（）A、存储时间B、读周期C、写周期D、存储周期
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考题 起动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔为（）。A、“存储周期”B、“存取时间”C、“读周期”D、“写周期”
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考题 简述个人剂量计的测读周期。
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考题 CPU对存储器或I/O端口完成一次读/写操作所需的时间称为一个（）A、指令周期B、总线周期C、时钟周期D、传输周期
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考题 存储器技术指标包括（）；（）、可靠性（平均间隔时间MTBF越长可靠性越高），存取周期（一次完整的读写时间）大于写时间和读时间。
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考题 硬盘间隔因子是读/写周期中按逻辑顺序读/写扇区之间的物理号（）。
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考题 8086CPU对内存读/写操作，需两个总线周期的读/写操作是（）A、从偶地址读/写一个字节B、从奇地址读/写一个字节C、从偶地址读/写一个字D、从奇地址读/写一个字
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考题 试比较存储器读周期和写周期的差别。
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考题 8086/8088I/O的读/写周期时序与M读/写周期的主要差异是什么？
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考题 条码识读器有光笔识读器、CCD识读器和激光识读器等几类。（）一般需与标签接触才能识读条码信息。A、手持式识读器B、激光识读器C、CCD识读器D、光笔识读器
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考题 根据出入口控制系统工程设计规范，关于识读部分说法正确的有（）A、识读部分应能通过识读现场装置获取操作及钥匙信息并对目标进行识别。B、“误识率”、“识读响应时间”等指标，应满足管理要求C、对识读装置的各种操作和接受管理/控制部分的指令等，识读装置应有相应的声和/或光提示D、识读装置应操作简便，识读信息可靠E、硬件识读部分对于识读距离应越大越好，以方便人员操作
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考题 计算机进行一次“读”或“写”操作所需要的时间就是计算机的存取周期。
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考题 单选题起动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔为（）。A “存储周期”B “存取时间”C “读周期”D “写周期”
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考题 填空题存储器技术指标包括（）；（）、可靠性（平均间隔时间MTBF越长可靠性越高），存取周期（一次完整的读写时间）大于写时间和读时间。
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考题 单选题条码识读器有光笔识读器、CCD识读器和激光识读器等几类。（）一般需与标签接触才能识读条码信息。A 手持式识读器B 激光识读器C CCD识读器D 光笔识读器
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考题 名词解释题读时间和读周期
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考题 问答题简述存储器的读周期和写周期的区别。
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考题 单选题计算机的存取周期是指对存储器完成（）。A 一次读或写的时间B 一次读和写的时间C 连续二次读或写的时间D 连续二次读和写的时间
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考题 填空题硬盘间隔因子是读/写周期中按逻辑顺序读/写扇区之间的物理号（）。
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