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温度变化和应变对金属应变片造成的电阻变化有相同的数量级,因此需要进行温度补偿。


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考题 应变片式压力传感器的电阻应变效应的关键元件是电阻应变片。 电阻应变片有金属应变片和 ( )应变片两类。A、导体B、非金属C、半导体

考题 电阻应变片中电阻栅金属材料的灵敏系数K的物理意义是()。 A、单位应变的电阻变化量B、单位电阻的应变变化量C、单位应变的电阻变化率D、单位电阻的应变变化率

考题 电阻应变片的灵敏度系数K指的是(  )。 A、应变片电阻值的大小 B、单位应变引起的应变片相对电阻值变化 C、应变片金属丝的截面积的相对变化 D、应变片金属丝电阻值的相对变化

考题 采用电阻应变片量测结构应变,测试结果对环境温度的变化不敏感。( )

考题 金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

考题 粘贴到试件上的电阻应变片,环境温度变化会引起电阻的相对变化,产生虚假应变,这种现象称为温度效应,简述产生这种现象的原因。

考题 金属应变片与半导体应变片在工作原理上都是利用金属形变引起电阻的变化。

考题 金属电阻应变片与半导体应变片的主要区别在于:前者利用()引起的电阻变化,后者利用()变化引起的电阻变化。

考题 金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起电阻的相对变化主要由()。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料的电阻率的变化D、电阻截面积

考题 金属电阻丝应变片与半导体应变片在工作原理上有何区别?各有何特点?在用应变仪测量机构的应力,应变时,如何消除由于温度变化所产生的影响?

考题 金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻丝材料的电阻率变化

考题 金属丝应变片在测量某一构件的应变时,其电阻的相对变化主要由()来决定。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料电阻率的变化D、以上均可

考题 金属应变片工作原理是利用()效应;半导体应变片工作原理是利用()效应。二者灵敏系数主要区别是:金属应变片的电阻变化主要由()引起的,半导体应变片的电阻变化主要由()引起的。

考题 应变片测量技术有何特点?说明金属电阻应变片的组成和种类。电阻应变片有哪些主要特性参数?应变片产生温度误差的原因及减小或补偿温度误差的方法是什么?

考题 造成电阻式应变片测量产生误差的原因有很多,其中温度影响是最重要的。当环境温度发生变化时会导致应变片本身()发生变化。

考题 关于电阻应变片,下列说法中正确的是()A、应变片的轴向应变小于径向应变B、金属电阻应变片以压阻效应为主C、半导体应变片以应变效应为主D、金属应变片的灵敏度主要取决于受力后材料几何尺寸的变化

考题 以下属于应变计温度误差产生的原因是()。A、应变式温度传感器件的温度系数变化。B、应变式温度传感器件的测量部分引起的。C、应变式温度传感器件对温度应变不敏感引起的。D、敏感栅金属丝电阻本身随温度发生变化。

考题 金属电阻应变片由于温度变化导致其电阻值发生变化的原因是什么?以及相应的补偿措施?

考题 由于测量现场环境温度的改变,而引起应变片电阻的附加相对变化量,称为(),因此而给测量带来的附加误差 ,称为应变片的(),又叫应变片的()。产生上述现象的原因是由于阻丝()的存在和试件与电阻丝材料()的不同。

考题 使用金属丝式电阻应变片测量构件应力时,当应力发变化生时,则应变片的()发生变化。A、电阻B、长度C、电阻和长度D、灵敏系数

考题 单选题金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。A 贴片位置的温度变化B 电阻丝几何尺寸的变化C 电阻丝材料的电阻率变化

考题 单选题应变片式压力传感器的电阻应变效应的关键元件是电阻应变片。电阻应变片有金属应变片和()应变片两类。A 导体B 非金属C 半导体

考题 单选题电阻应变片的灵敏度系数K指的是()。A 应变片电阻值的大小B 单位应变引起的应变片相对电阻值变化C 应变片金属丝的截面积的相对变化D 应变片金属丝电阻值的相对变化

考题 单选题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是()A 金属应变片主要利用压阻效应B 金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C 半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D 半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高,但非线性误差大。

考题 单选题电阻应变片中电阻栅金属材料的灵敏系数K的物理意义是()。A 单位应变的电阻变化量B 单位电阻的应变变化量C 单位应变的电阻变化率D 单位电阻的应变变化率

考题 问答题金属电阻应变片由于温度变化导致其电阻值发生变化的原因是什么?以及相应的补偿措施?

考题 填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。